[发明专利]感应耦合等离子体处理装置和等离子体处理方法

权利要求书

1.一种感应耦合等离子体处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板并实施等离子体处理的处理室；

在所述被处理室内载置被处理基板的载置台；

向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给系统；

对所述处理室内进行排气的排气系统；

在所述处理室的外部隔着电介质部件配置、且通过被供给高频电力 在所述处理室内形成感应电场的高频天线；

检测通过所述感应电场在所述处理室内形成的感应耦合等离子体 的状态的等离子体检测单元；

调节包括所述高频天线的天线电路的特性的调节单元；和

根据所述等离子体检测单元的等离子体检测信息控制所述调节单 元，控制等离子体状态的控制单元，

所述控制单元，预先设定能够获得最适于每个应用的等离子体状态 的所述调节单元的调节参数，根据所述等离子体检测单元的检测信息， 选择与执行的应用相对应的调节参数，

所述被处理基板具有被叠层的多个层，所述等离子体处理是这些层 的蚀刻处理，所述控制单元，预先设定能够获得最适于每个层的等离子 体密度分布的所述调节单元的调节参数，根据所述等离子体检测单元的 检测信息，检测出层的变更处，选择与处理对象层相对应的调节参数。

2.根据权利要求1所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在 于：

所述高频天线具有多个天线部，该多个天线部通过被供给高频电 力，在所述处理室内形成具有各自不同的电场强度分布的感应电场，

所述调节单元与包括所述各天线部的天线电路中的至少一个连接， 并调节该被连接的天线电路的阻抗，

所述控制单元控制所述调节单元，控制所述多个天线部的电流值， 由此控制在所述处理室内形成的感应耦合等离子体的等离子体密度分 布。

3.根据权利要求2所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在 于：所述调节单元具有可变电容器。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的感应耦合等离子体处理装置， 其特征在于：

所述控制单元根据所述等离子体检测单元的检测信息，实时控制所 述调节参数，使得等离子体状态最适当。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的感应耦合等离子体处理装置， 其特征在于：

所述控制单元，在根据所述等离子体检测单元的等离子体检测信息 控制所述调节单元之外，还根据所述等离子体检测单元的等离子体检测 信息控制所述处理气体供给系统，控制等离子体状态。

6.根据权利要求5所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在 于：

所述控制单元，预先设定能够获得最适于每个应用的等离子体密度 分布的所述调节单元的调节参数、和包括所述处理气体供给系统的处理 气体流量、比率的处理气体参数，根据所述等离子体检测单元的检测信 息，选择与执行的应用相对应的调节参数和处理气体参数。

7.根据权利要求6所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在 于：

所述被处理基板具有被叠层的多个层，所述等离子体处理是这些层 的蚀刻处理，预先设定能够获得最适于每个层的等离子体密度分布的所 述调节单元的调节参数、和包括所述处理气体供给系统的处理气体流 量、比率的处理气体参数，所述控制单元选择与通过所述等离子体检测 单元的检测信息被掌握的层相对应的调节参数和处理气体参数。

8.根据权利要求5所述的感应耦合等离子体处理装置，其特征在 于：

所述控制单元根据所述等离子体检测单元的检测信息，实时控制所 述调节参数和包括所述处理气体供给系统的处理气体流量、比率的处理 气体参数，使得等离子体状态最适当。