[发明专利]半导体元件搭载部件、半导体装置及摄像装置

说明书

本发明是申请人联合材料公司于2006年9月12日提出的申请号为2005800080325的、发明名称为“集合基板、半导体元件搭载部件、半导体装置及摄像装置、发光二极管部件、发光二极管”的发明申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及将多块板状绝缘部件一体形成为排列在同一平面上的形状的陶瓷制集合基板；使用按各区域对所述集合基板进行切割而得到的绝缘部件形成的半导体元件搭载部件；使用所述半导体元件搭载部件形成的摄像装置、发光二极管构成部件等的半导体装置、和使用所述发光二极管构成部件形成的发光二极管。

背景技术

近年来，随着数码相机和带相机的便携电话的普及，CCD摄像元件、C-MOS摄像元件等的摄像元件的需求正在急速扩大。而且，不仅为了对应图像的高画质要求，摄像元件的像素数有飞跃性增加的倾向，而且，特别是伴随着数码单镜头反光式照相机的普及，摄像元件的大型化也得到发展。并且，近年来，由于在发光元件中，实现了大光量的发光、以及通过与荧光体进行组合等能够发出白色光，所以，作为带所述照相机的便携电话的闪光灯等，广泛应用了使用了发光元件的发光二极管。

因此，为了随着所述摄像元件或发光元件等的半导体元件的高输出化，而充分发挥其性能，例如对使用了由具有AlN等的高散热性的陶瓷构成的平板状绝缘部件的半导体元件搭载部件的需要正在增加。所述半导体元件搭载部件形成为，例如将所述绝缘部件的单面作为用于半导体元件搭载用的主面，将相反面作为用于与其他部件连接的外部连接面，并且，在主面形成半导体元件搭载用的多层电极层，在外部连接面形成用于与其他部件连接的多层电极层，进而，经由形成在使绝缘部件贯通的多个贯通孔内的导电层或过孔导体等，将两面的各个电极层单独连接。

以往，所述半导体元件搭载部件一般使用作为绝缘部件的前驱体的陶瓷生片，并通过所谓的共烧法进行制造(例如，参照专利文献1、2)。即，将陶瓷生片形成为与绝缘部件外形对应的平面形状，并且，在其规定的位置形成贯通孔之后，将过通导体的情况下成为其根基的、与陶瓷生片的烧成同时被烧成而形成过通导体的导电膏，以填充到贯通孔中的状态，同时对陶瓷生片和导电膏进行烧成，由此，制造了半导体元件搭载部件。

而且，例如在形成为规定平面形状的陶瓷生片的、绝缘部件的主面以及成为外部连接面的面上，将导电膏印刷或涂敷成与电极层的形状对应的规定平面形状，与陶瓷生片一同进行烧成形成基底金属层之后，通过在所述基底金属层上层叠镀覆金属层，而形成所述主面和外部连接面的电极层。

专利文献1：特开平11—135906号公报

专利文献2：特开2002—232017号公报

可是，由于通过共烧法一个一个制造半导体元件搭载部件，存在着生产率低、制造成本高的问题。因此，研究了下述方法来进行制造，即，在通过所述共烧法形成了将多个板状绝缘部件一体形成为排列在同一平面上的形状的陶瓷制集合基板之后，通过切割机等对所述集合基板的各个区域进行切割，来一次制造多个绝缘部件。但是，包含多个成为绝缘部件的区域的、面积大的陶瓷生片，存在着烧成时的收缩量大，而且，整体不一样地收缩，由此导致了收缩不均等的问题。例如，矩形的陶瓷生片以各边的中央部附近会比矩形角大幅进入内方的方式收缩。

因此，即使在烧成前的陶瓷生片上形成各区域的贯通孔，以使成为绝缘部件的多个区域整齐地笔直排列配置，但因烧成时的收缩，会使得贯通孔的形成位置偏移而造成不均等，因此，存在着由通过切割器等难以从所形成的集合基板分别切割出各区域。因此，由于即使在个区域没有整齐地排列的状态下，也能够通过切割器等分别切割出各区域，所以，考虑到事先判断因收缩而引起的各区域的位置偏移，而将各区域的形成间隔设定得很宽，但是，在该情况下，在一枚集合基板上所能形成的区域数变少，存在着材料的浪费增多的问题。

因此，研究出一种方法，其对包含多个成为绝缘部件的区域的、大的陶瓷生片预先进行烧成，形成一枚集合基板，在所述集合基板上设定成为绝缘部件的多个区域，并在按各区域利用激光加工等形成贯通孔之后，按各区域进行切割，由此来制造绝缘部件。在所述方法中，与在绝缘部件的主面侧和外部连接面侧分别通过化学镀覆、电镀等形成电极层的工序同时，或者相继，对所形成的贯通孔的内面实施金属化，由此形成连接两电极层的导电层。