[发明专利]压电元件、角速度传感器、以及压电元件的制造方法有效
| 申请号： | 200810181471.1 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101436642A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | 小池伸幸;田村孝 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;H01L41/187;G01P3/44 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 压电 元件 角速度 传感器 以及 制造 方法 | ||
1.一种压电元件，包括：
压电膜，由Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X表示的锆钛酸铅构成，其 中，X大于等于0且小于等于0.3，并且Y大于等于0且小于 等于0.55，所述压电膜具有拉伸应力，并且所述压电膜的所述 拉伸应力大于等于50MPa且小于等于500MPa；以及
电极膜，将电压施加给所述压电膜。
2.根据权利要求1所述的压电元件，其中，所述压电膜在<111> 方向具有大于等于80％的取向。
3.根据权利要求1所述的压电元件，其中，所述压电膜包括选自 由Cr、Mn、Fe、Ni、Mg、Sn、Cu、Ag、Nb、Sb和N组成 的组中的至少一种添加元素。
4.根据权利要求1所述的压电元件，其中，所述电极膜由Ti和 Pt中的至少一种形成。
5.一种压电元件，包括：
压电膜，由Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X表示的锆钛酸铅构成，其 中，X大于等于0且小于等于0.3，并且Y大于等于0且小于 等于0.55，所述压电膜具有大于等于50MPa且小于等于 500MPa的拉伸应力；以及
电极膜，具有大于等于500MPa且小于等于1500MPa的 拉伸应力，并且将电压施加给所述压电膜。
6.根据权利要求5所述的压电元件，其中，所述压电膜具有大于 等于400nm且小于等于1000nm的膜厚度。
7.根据权利要求5所述的压电元件，其中，所述压电膜在<111> 方向具有大于等于80％的取向。
8.根据权利要求5所述的压电元件，其中，所述压电膜包括选自 由Cr、Mn、Fe、Ni、Mg、Sn、Cu、Ag、Nb、Sb和N组成 的组中的至少一种添加元素。
9.根据权利要求5所述的压电元件，其中，所述电极膜由Ti和 Pt中的至少一种形成。
10.一种压电元件，包括：
压电膜，由Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X表示的锆钛酸铅构成，其 中，X大于等于0且小于等于0.3，并且Y大于等于0且小于 等于0.55，所述压电膜具有大于等于400nm且小于等于 1000nm的膜厚度，并且具有大于等于50MPa且小于等于 500MPa的拉伸应力；以及
电极膜，将电压施加给所述压电膜。
11.根据权利要求10所述的压电元件，其中，所述压电膜在<111> 方向具有大于等于80％的取向。
12.根据权利要求10所述的压电元件，其中，所述压电膜包括选 自由Cr、Mn、Fe、Ni、Mg、Sn、Cu、Ag、Nb、Sb和N组 成的组中的至少一种添加元素。
13.根据权利要求10所述的压电元件，其中，所述电极膜由Ti 和Pt中的至少一种形成。
14.一种角速度传感器，包括：
基板；
第一电极膜，形成在所述基板上；
压电膜，由Pb1+X(ZrYTi1-Y)O3+X表示的锆钛酸铅构成，其 中，X大于等于0且小于等于0.3，并且Y大于等于0且小于 等于0.55，所述压电膜具有拉伸应力并且形成在所述第一电极 膜上，并且所述压电膜的所述拉伸应力大于等于50MPa且小 于等于500MPa；以及
第二电极膜，形成在所述压电膜上。
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