[发明专利]一种电位调整可程序化储存记录实施方法

权利要求书

1.一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，该方法将半导体IC芯片电性修整参数储存于特定位置，当制造需求产生时，可将储存参数自储存特定位置取出，并传输至具有参数加载功能的设备，该设备可将预储的修整参数，依制造规格需求，快速加载生产指定位置实施。

2.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，参数包含有电压、频率、温度单元参数。

3.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，修整方法可使用激光、电流方式实施。

4.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，修整参数可以记录、储存、分类、写入。

5.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置可包含一属性文件，可用以储存该电性数据的参数。

6.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存参数包含电压、温度、频率参数、时间参数。

7.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置为具有磁道储存功能的设备。

8.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置为具有光储存功能设备。

9.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置为具有记录读写功能的储存设备。

10.如权利要求5所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置记录功能包含有一加载功能。

11.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置记录功能包含有一插入功能。

12.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置记录功能包含有一修改功能。

13.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置记录功能包含有一删除功能。

14.如权利要求3所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，温度参数修整为对半导体晶片面积上的晶粒电性进行修整。

15.如权利要求3所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，电压参数修整，为对半导体晶片面积上的晶粒电性进行修整。

16.如权利要求3所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，频率参数修整，对半导体晶片面积上的晶粒电性进行修整。

17.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置记录功能包含有记录异动开始/异动结束功能。

18.如权利要求1所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，储存特定位置的参数具有排序的功能。

19.一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其方法包括下列的步骤：将晶片置入晶片检测机，由晶片检测机以探针量测晶片内部电性及良率，并将量测及测试的各种参数予以分类、记录、注记，再将参数分类储存于特定储存位置；制造工艺作业实施时，将晶片取出后加载具修整功能的机台，依制造工艺功能需求自特定储存位置存取所需参数，并将需求参数按设定修整方式加载半导体芯片。

20.如权利要求19所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，晶片检测机量测晶片所得的温度、电压、频率的电性参数，其电压参数具有储存、标记、修改功能。

21.如权利要求19所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，晶片检测机量测晶片所得的温度、电压、频率的电性参数，其温度参数具有储存、标记、修改功能。

22.如权利要求19所述的一种电位调整可程序化储存记录实施方法，其特征为，晶片检测机量测晶片所得的温度、电压、频率的电性参数，其频率参数具有储存、标记、修改功能。