[发明专利]用多面体分子倍半硅氧烷,形成半导体器件用层间电介质膜的方法

权利要求书

1.一种用于形成电介质膜的组合物，包括：

由下面的化学式2表示的至少一种多面体分子倍半硅氧烷：

[SiO_1.5]_n-(R)_n      (2)

其中，取代基R彼此相同或不同，并且各自独立地为氢原子、卤原子、羟基、或C_1-20烷基、链烯基、炔基、芳基或烷氧基、或-OSir₁r₂r₃，其中r₁、r₂和r₃各自独立地为氢原子、卤原子、或C_1-20烷基、链烯基、炔基、芳基或烷氧基，至少一种取代基R为可水解的官能团，并且n为10、12、14或16；

耐热硅氧烷母体；以及

溶解上述两种组分的溶剂。

2.根据权利要求1所述的组合物，其中，耐热硅氧烷母体在存在水和酸或碱催化剂的有机溶剂中，通过至少一种硅烷基单体缩聚来制备，该至少一种硅烷基单体选自下列式3～6表示的化合物：

其中R₁为氢原子、C_1-3烷基或C_6-15芳基；R₂为氢原子、C_1-10烷基或SiX₁X₂X₃，其中X₁、X₂和X₃各自独立地为氢原子、C_1-3烷基、C_1-10烷氧基或卤原子，这些取代基中的至少一种为可水解的官能团；并且p为3和8之间的整数；

其中R₁为氢原子、C_1-3烷基或C_6-15芳基；X₁、X₂和X₃各自独立地为氢原子、C_1-3烷基、C_1-10烷氧基或卤原子，这些取代基中的至少一种为可水解的官能团；m为0至10的整数；以及p为3至8的整数；

X₃X₂X₁Si-M-SiX₁X₂X₃        (5)

其中X₁、X₂和X₃各自独立地为氢原子、C_1-3烷基、C_1-10烷氧基或卤原子，这些取代基中的至少一种为可水解的官能团；M为单键、C_1-10亚烷基、或C_6-15亚芳基；以及

(R₁)_nSi(OR₂)_4-n          (6)

其中R₁为氢原子、C_1-3烷基、卤原子或C_6-15芳基；R₂为氢原子、C_1-3烷基或C_6-15芳基，取代基R₁和OR₂中的至少一种为可水解的官能团；并且n为0至3的整数。

3.根据权利要求1所述的组合物，还进一步包括选自环糊精、聚己内酯、Brij表面活性剂、聚乙二醇-聚丙二醇-聚乙二醇三嵌段共聚物表面活性剂、及其衍生物的微孔生成物。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的组合物，其中，以组合物中的固体物质的总重量为基础，所用的多面体分子倍半硅氧烷为0.1～99.9重量％。

5.根据权利要求1所述的组合物，其中，有机溶剂为选自己烷和庚烷的脂肪烃溶剂；选自苯甲醚、均三甲基苯和二甲苯的芳烃溶剂；选自甲基异丁酮、1-甲基-2-吡咯烷酮、环己酮和丙酮的酮基溶剂；选自四氢呋喃和异丙基醚的醚基溶剂；选自乙酸乙酯、乙酸丁酯和丙二醇甲醚乙酸酯的乙酸酯基溶剂；选自异丙醇和丁醇的醇基溶剂；选自二甲基乙酰胺和二甲基甲酰胺的酰胺基溶剂；硅基溶剂；或其混合物。