[发明专利]CPP型磁阻效应元件和磁盘装置

权利要求书

1.一种电流垂直于平面的结构的磁阻效应元件，具有：磁阻效应部；以及以上下地夹着该磁阻效应部的方式配置形成的第一屏蔽层和第二屏蔽层，在该层叠方向上施加检测电流，其特征在于，

上述磁阻效应部具有：非磁性中间层；和以夹着该非磁性中间层的方式层叠形成的、位于上述第一屏蔽层一侧的第一铁磁层和位于上述第二屏蔽层一侧的第二铁磁层，

上述第一屏蔽层和第二屏蔽层分别通过磁化方向控制单元被控制磁化方向，

上述第一铁磁层和第二铁磁层分别受到上述第一屏蔽层和上述第二屏蔽层的磁场作用的影响，被施加作用形成反平行磁化状态，该反平行磁化状态是彼此的磁化方向成为相反方向的状态。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，上述第一铁磁层和磁化方向被控制的上述第一屏蔽层，经由第一交换耦合功能间隙层间接地磁耦合，

上述第二铁磁层和磁化方向被控制的上述第二屏蔽层，经由第二交换耦合功能间隙层间接地磁耦合。

3.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其中，上述第一交换耦合功能间隙层从上述第一屏蔽层一侧起，依次包含：交换耦合传达层、间隙调整层、以及交换耦合调整层，

上述第二交换耦合功能间隙层从上述第二屏蔽层一侧起，依次包含：交换耦合传达层、间隙调整层、以及交换耦合调整层。

4.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其中，上述交换耦合传达层由从Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的组中选择的至少一种材料构成，

上述间隙调整层由铁磁材料构成，

上述交换耦合调整层由从Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Ag、Au、Pt、Pd的组中选择的至少一种材料构成。

5.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，对上述第一屏蔽层和第二屏蔽层的磁化方向进行控制的磁化方向控制单元，以根据上述第一屏蔽层和第二屏蔽层的形状各向异性功能，或来自反铁磁材料的交换耦合功能的方式定义。

6.根据权利要求5所述的磁阻效应元件，其中，上述第一屏蔽层和第二屏蔽层通过上述磁化方向控制单元被作为单磁畴结构。

7.根据权利要求2所述的磁阻效应元件，其中，上述第一交换耦合功能间隙层从上述第一屏蔽层一侧起，依次包含：交换耦合传达层、间隙调整层、交换耦合传达层、间隙调整层、以及交换耦合调整层，

上述第二交换耦合功能间隙层从上述第二屏蔽层一侧起，依次包含：交换耦合传达层、间隙调整层、交换耦合传达层、间隙调整层、以及交换耦合调整层。

8.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中，上述非磁性中间层由使ZnO配置在中央的三层层叠膜构成。

9.一种薄膜磁头，其特征在于，具有：

与记录介质相向的介质相向面；以及

用于检测来自上述记录介质的信号磁场并配置在上述介质相向面附近的权利要求1所述的磁阻效应元件。

10.一种磁头悬架组件，其特征在于，具备：

包含权利要求9所述的薄膜磁头、以与记录介质相向的方式配置的滑块；以及

弹性地支撑上述滑块的悬挂。

11.一种磁盘装置，其特征在于，具备：

包含权利要求9所述的薄膜磁头、以与记录介质相向的方式配置的滑块；以及

支撑上述滑块并且决定相对于上述记录介质的位置的定位装置。