[发明专利]光吸收剂及含有光吸收剂的有机抗反射涂层组合物

权利要求书

1.一种用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，包括下列化学式(1a)的化合物，下列化学式(1b)的化合物，或化学式(1a)和(1b)化合物的混合物：

[化学式1a]

[化学式1b]

其中在化学式(1a)和(1b)中，X为 二芳基醚基团或二芳基酮基团；且R₁是氢原子。

2.一种用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，包括下列化学式(2)的化合物： 

[化学式2]

其中在化学式(2)中，X为 二芳基醚基团或二芳基酮基团；且R₁是氢原子。

3.如权利要求1或2所述的用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，其中上述化学式(1a)的化合物、上述化学式(1b)的化合物或化学式(2)的化合物是在碱性环境下反应得到的。

4.如权利要求3所述的用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，其中所述碱是选自由二甲基氨基吡啶、吡啶、1，4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷、1，5-二氮杂双环[4.3.0]壬烷、三乙胺、2，6-二叔丁基吡啶、二异丙基乙胺、二氮杂双环十一烯和四甲基乙二胺所构成的组中的化合物。

5.一种有机抗反射涂层组合物，包括权利要求1或2所述的光吸收剂、聚合物、热酸生成剂、交联剂和溶剂，其中所述聚合物是在主链端和侧链端上具有可交联位置的树脂。

6.如权利要求5所述的有机抗反射涂层组合物，其中所述组合物含有0.1％至40％重量的所述光吸收剂、0.1％至20％重量的所述聚合物、0.01％至20％重量的热酸生成剂和0.01％至15％重量的所述交联剂。

7.如权利要求5或6所述的有机抗反射涂层组合物，其中所述交联剂是氨基塑料化合物、多官能环氧树脂、二酐或其混合物。

8.如权利要求5或6所述的有机抗反射涂层组合物，其中所述热酸生成剂是甲苯磺酸、甲苯磺酸的胺盐或甲苯磺酸的吡啶盐、烷基磺酸、烷基磺酸的胺盐或烷基磺酸的吡啶盐。 

9.如权利要求5或6所述的有机抗反射涂层组合物，其中所述溶剂是选自由丙二醇单甲醚(PGME)、丙二醇单甲醚醋酸酯(PGMEA)、环己酮、乳酸乙酯、丙二醇正丙醚、二甲基甲酰胺(DMF)、γ-丁内酯、乙氧基乙醇、甲氧基乙醇、3-甲氧基丙酸甲酯(MMP)和3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)所构成的组中的一种或多种。

10.一种用于图形化半导体装置的方法，上述方法包括：

将根据权利要求5或6所述的有机抗反射涂层组合物施涂到要被蚀刻的层上部；

通过烘焙法来固化上述被施涂的组合物，形成交联结构以形成有机抗反射涂层；

将光刻胶施涂在所述有机抗反射涂层的上部，依次进行曝光和显影，使光刻胶图形化；和

用光刻胶图形作为蚀刻掩膜来蚀刻所述有机抗反射涂层，然后蚀刻所述要被蚀刻的层使所述要被蚀刻的层图形化。

11.如权利要求10所述的用于图形化半导体装置的方法，其中固化被施涂的组合物的烘焙过程在150℃到250℃的温度中持续0.5到5分钟。

12.如权利要求10或11所述的用于图形化半导体装置的方法，进一步包括在进行曝光使所述光刻胶图形化之前或之后的第二烘焙过程。

13.一种按照权利要求10所述的用于图形化半导体装置的方法而制造的半导体装置。