[发明专利]晶片的分割方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶片的分割方法，晶片在表面上呈格子状地形成有 多条间隔道，并且在通过该多条间隔道划分出的多个区域中形成有器件， 上述晶片的分割方法是沿着上述间隔道将上述晶片分割成一个个器件 (芯片)的方法。

背景技术

在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表面， 通过格子状地排列的被称为间隔道的分割预定线划分有多个区域，在该 划分出的区域上形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scale integration：大规模集成电路)等器件。然后，通过沿着间隔道切断半导 体晶片，将形成有器件的区域分割开来，从而制造出一个个器件。另外， 关于在蓝宝石基板的表面上层叠有氮化镓类化合物半导体等的光器件晶 片，也通过沿着预定的间隔道进行切断，来分割成一个个发光二极管、 激光二极管等光器件，并广泛地应用于电气设备。

作为分割半导体晶片等板状的被加工物的方法，还尝试了以下的激 光加工方法：使用相对于该被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线， 将聚光点对准应分割的区域的内部地照射脉冲激光光线。使用了该激光 加工方法的分割方法从被加工物的一面侧，将聚光点对准内部地照射相 对于被加工物具有透射性的波长的脉冲激光光线，从而在被加工物的内 部沿着间隔道连续地形成变质层，沿着因形成该变质层而导致强度降低 的间隔道施加外力，从而将被加工物分割开来。(例如参照专利文献2。)

专利文献2：日本专利第3408805号公报

另外提出了以下方法：将使用上述激光加工方法沿着间隔道形成了 变质层的晶片粘贴在安装于环状框架的切割带上，然后扩展切割带，从 而将晶片沿着因形成变质层而导致强度降低的间隔道分割成一个个器 件。(例如参照专利文献3。)

专利文献3：日本特开2004-273895号公报

然而，沿着间隔道在内部形成有变质层的晶片非常容易破裂，在为 了将形成有变质层的晶片粘贴在切割带上而从激光加工装置对其进行搬 送的搬送工序、和将形成有变质层的晶片粘贴到切割带上时，以及将粘 贴在切割带上的晶片搬送至带扩展装置的搬送工序中，存在晶片破损的 问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种 晶片的分割方法，该晶片的分割方法能够将沿着间隔道在内部形成有变 质层的晶片沿间隔道分割开来，而不会在搬送工序等中使晶片破损。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供一种晶片的分割方 法，晶片在表面上呈格子状地形成有多条间隔道，并且在通过多条间隔 道划分出的多个区域中形成有器件，上述晶片的分割方法是沿着多条间 隔道来分割上述晶片的方法，其特征在于，

上述晶片的分割方法包括以下工序：

保护带粘贴工序，在晶片的表面上粘贴保护带；

变质层形成工序，对于在表面粘贴有上述保护带的晶片，以其背面 朝上的方式将上述保护带侧保持在激光加工装置的卡盘工作台上，从晶 片的背面侧沿着多条间隔道照射相对于晶片具有透射性的波长的激光光 线，从而在晶片的内部沿着多条间隔道形成变质层；

第一搬送工序，在实施了上述变质层形成工序之后，使用吸引保持 晶片并搬送晶片的晶片搬送装置，来吸引保持晶片的整个背面，并以晶 片的背面朝上的方式将上述保护带侧载置在带粘贴装置的支承工作台 上；

切割带粘贴工序，在载置于上述带粘贴装置的上述支承工作台上的 晶片的背面、和围绕晶片配置的环状框架上，粘贴切割带；

晶片翻转工序，在实施了上述切割带粘贴工序后，使用吸引保持晶 片和上述环状框架并将它们翻转的晶片翻转装置，经上述切割带吸引保 持晶片的整个背面，并且吸引保持上述环状框架，将所保持的晶片和上 述环状框架的表面和背面翻转，使粘贴在晶片表面上的上述保护带处于 上侧；

第二搬送工序，在实施了上述晶片翻转工序之后，使用吸引保持晶 片和上述环状框架并对它们进行搬送的晶片和框架搬送装置，经上述保 护带吸引保持晶片的整个表面，并且吸引保持上述环状框架，将上述环 状框架载置在带扩展装置的环状的框架保持部件上，并且以粘贴在晶片 表面上的上述保护带朝上的方式，将上述切割带侧载置在上述带扩展装 置的晶片保持工作台上；