[发明专利]研磨剂、基片的研磨法和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种研磨剂，用于研磨形成有SiO₂绝缘膜的基板，其特征在于：其是含有把磨粒分散到介质中去的浆液的研磨剂，所述磨粒是具有气孔的、具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子，根据用比重计测定的密度与用X射线Rietvelt分析求得的理论密度之比求得的所述氧化铈粒子的气孔率为10～30％。

2.根据权利要求1所述的研磨剂，其特征在于：所述磨粒的直径的中值为60～1500nm。

3.根据权利要求1所述的研磨剂，其特征在于：所述磨粒的直径的最大值为3000nm以下。

4.根据权利要求1所述的研磨剂，其特征在于：用B.J.H法测定的上述磨粒的细孔容积为0.02～0.05cm³/g。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的研磨剂，其特征在于：还含有分散剂，所述分散剂含有丙烯酸类聚合物。

6.一种浆液，用于研磨形成有SiO₂绝缘膜的基板，其特征在于：其是把磨粒分散到介质中去的浆液，所述磨粒是具有气孔的、具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子，根据用比重计测定的密度与用X射线Rietvelt分析求得的理论密度之比求得的所述氧化铈粒子的气孔率为10～30％。

7.根据权利要求6所述的浆液，其特征在于：所述磨粒的直径的中值为60～1500nm。

8.根据权利要求6所述的浆液，其特征在于：所述磨粒的直径的最大值为3000nm以下。

9.根据权利要求6所述的浆液，其特征在于：用B.J.H法测定的上述磨粒的细孔容积为0.02～0.05cm³/g。

10.根据权利要求6～9的任一项所述的浆液，其特征在于：还含有分散剂，所述分散剂含有丙烯酸类聚合物。

11.一种研磨剂，用于研磨形成有SiO₂绝缘膜的基板，其特征在于：其是含有把磨粒分散到介质中去的浆液的研磨剂，所述磨粒是具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子，使用比重计、注入比重计中的液体使用纯水、在20℃下测定时的体积密度为5.0g/cm³以上6.5g/cm³以下。

12.根据权利要求11所述的研磨剂，其特征在于：所述体积密度为5.0g/cm³以上、5.9g/cm³以下。

13.根据权利要求11所述的研磨剂，其特征在于：所述磨粒的直径的中值为60～1500nm。

14.根据权利要求11所述的研磨剂，其特征在于：所述磨粒的直径的最大值为3000nm以下。

15.根据权利要求11～14的任一项所述的研磨剂，其特征在于：还含有分散剂，所述分散剂含有丙烯酸类聚合物。

16.一种浆液，用于研磨形成有SiO₂绝缘膜的基板，其特征在于：其是把磨粒分散到介质中去的浆液，所述磨粒是具有由2个以上的晶粒构成的晶界的氧化铈粒子，使用比重计、注入比重计中的液体使用纯水、在20℃下测定时的体积密度为5.0g/cm³以上6.5g/cm³以下。

17.根据权利要求16所述的浆液，其特征在于：所述体积密度为5.0g/cm³以上、5.9g/cm³以下。

18.根据权利要求16所述的浆液，其特征在于：所述磨粒的直径的中值为60～1500nm。

19.根据权利要求16所述的浆液，其特征在于：所述磨粒的粒子直径的最大值为3000nm以下。

20.根据权利要求16～19的任一项所述的浆液，其特征在于：还含有分散剂，所述分散剂含有丙烯酸类聚合物。