[发明专利]一种宽带射频耦合器

说明书

技术领域

本发明涉及一种改进的耦合器，特别涉及一种宽带射频耦合器。

背景技术

目前，现有基站信号覆盖的增强方法均借助硬件设备来实现，例如：新建基站、增加基站功放、新建直放站、新建室内分布系统等。

现有技术中，如图1所示，宽带射频耦合器包括频率合成单元和双工器，频率合成单元包括两个发射输出端TX out1和TX out2，双工器包括一个发射输入端TX in、一个接收输入端RX in和一个天线，频率合成单元的发射输出端TX out1与TX in相连，TX out2连接一个50欧的吸收负载，起到平衡阻抗的作用。

在实现本发明过程中，发明人发现现有技术中的宽带耦合器至少存在如下缺陷：

1.资金投入大，借助硬件设备来增强信号需要大量的资金投入；

2.耗时长，借助硬件设备来增强信号的实施过程需要耗费大量的时间；

3.基站信号覆盖弱，如果需要信号覆盖强，则需要很高的成本覆盖边缘特定区域。

发明内容

本发明目的是针对现有技术中宽带耦合器资金投入大、耗时长等缺陷，提供一种宽带射频耦合器，以实现减少资金投入、降低实施时间等。

为了实现以上目的，本发明公开了一种宽带射频耦合器，包括N路混合双工器-双工器，及至少N/2个频率合成单元，N≥2，其中：每个频率合成单元的两个发射输出端分别与两路双工器的发射输入端相连，并通过双工器的天线进行信号发射。

优选地，宽带射频耦合器可以包括：两路混合双工器-双工器，及一个频率合成单元，其中：与频率合成单元的两个功率放大输入端相连的两路功率放大输入信号通过两个功率放大输入端、频率合成单元的两个发射输出端、两路双工器的发射入端，并通过每路双工器的天线进行信号发射。

优选地，宽带射频耦合器还可以包括：四路混合双工器-双工器，及四个频率合成单元，其中：第一个及第二个频率合成单元的一个发射输出端与第三个频率合成单元的两个功率放大输入端分别相连，第一个及第二个频率合成单元的另一个发射输出端与第四个频率合成单元的两个功率放大输入端分别相连；第三个频率合成单元的两个发射输出端和第四个频率合成单元的两个发射输出端分别与四路双工器的发射输入端相连；与第一个及第二个频率合成单元的四个功率放大输入端相连的四路功率放大输入信号分别通过第一个及第二频率合成单元的四个功率放大输入端、第三个及第四个频率合成单元的四个发射输出端、四路双工器的发射入端，并通过四路双工器的天线进行信号发射。

优选地，上述宽带射频耦合器还可以包括：低噪声放大器信号分配单元，与每路双工器的接收输入端相连，用于对从天线接收的移动终端上行信号的放大和解码。

优选地，宽带射频耦合器可以为至少一个H2D结构与DP耦合器的组合，其中：每个H2D结构包括：一路双工器、一个频率合成单元和一个低噪声放大器信号分配单元；每个DP耦合器包括：一路双工器、一个低噪声放大器信号分配单元；H2D结构的频率合成单元的一个发射输出端与H2D结构的一路双工器的发射输入端相连，H2D结构的频率合成单元的另一个发射输出端与DP耦合器的一路双工器的发射输入端相连。

优选地，还可以在每个频率合成单元的功率放大输入端与对应输入的功率放大输入信号之间，设置一用于控制高频电流单向流动的环形器。

本发明公开的宽带射频耦合器，由于每个频率合成单元的两个发射输出端分别与两路双工器的发射输入端相连，因此，可以使原来频率合成单元通过匹配阻抗接地的另一个发射输出端得到了合理利用，节省成本，并且本发明的宽带耦合器结构简单，不需要借助硬件设备来增强信号，可有效降低实施过程的时间。

本发明还有些实施例可以采用在现有H2D宽带射频耦合器的基础上添加DP耦合器，由此将现有宽带射频耦合器中另一个发射输出端接入DP耦合器，充分利用现有技术的结构特点，资金投入少。同时，采用本发明各实施例宽带射频耦合器的基站，由于将宽带射频耦合器中另一个发射输出端进行了扩展利用，相当于在原有信号源的基础上增加了新的信号源，因此可以扩大基站信号的覆盖范围，提高了基站信号的覆盖强度，可以用很低的成本快速增强基站信号的覆盖质量，较好的解决了基站对边缘特定区域信号覆盖较弱的问题。

附图说明

图1是现有技术中宽带射频耦合器的结构图；

图2是本发明宽带射频耦合器实施例一的结构图；

图3是本发明宽带射频耦合器实施例二的结构图；

图4是采用本发明宽带射频耦合器的基站覆盖示意图；