[发明专利]一种光电衬底上的高约束波导

权利要求书

1.一种高约束波导结构，其包含：

折射率为n_s的光电衬底；

光波导，其位于所述光电衬底内，所述光波导的折射率n_w大于n_s；

高约束波导，其位于所述光电衬底上，所述高约束波导光耦合至所述光波导，所述 高约束波导的折射率n_c大于n_s，以使所述光电衬底可在所述高约束波导内引发全内反 射，所述高约束波导与位于其下方的所述光波导接触，并且大于n_w的折射率n_c将使大 部分光功率由所述光波导耦合至所述高约束波导；

其中所述高约束波导部分置于所述光电衬底表面上的有锥形深度的槽中，其中填充 至所述槽中的所述高约束波导的量逐步减小，且被空气包围的所述高约束波导的量逐渐 增多，用以实现光信号从较低到较高约束的逐渐过渡。

2.如权利要求1所述的高约束波导结构，其中，n_s与n_c之间的折射率差异在0.02– 0.2之间。

3.如权利要求2所述的高约束波导结构，其中，n_s与n_c之间的所述折射率差异在 0.02–0.1之间。

4.如权利要求2所述的高约束波导结构，其中，n_s与n_c之间的所述折射率差异为 0.05。

5.如权利要求1所述的高约束波导结构，其中，所述光电衬底为铌酸锂，所述高 约束波导为富硅氮化硅。

6.如权利要求1所述的高约束波导结构，其中，所述高约束波导和所述光波导相重 合，以形成用于单模传输的混合波导。

7.如权利要求6所述的高约束波导结构，其中，所述光波导包含扩散钛，所述高约 束波导包含富硅氮化硅。