[发明专利]氮化物半导体激光器的制造方法无效
| 申请号： | 200810183988.4 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465518A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 铃木洋介;中川康幸;臧本恭介;白滨武郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/10;H01S5/223 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体激光器 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种采用了氮化物III-V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：
(a)利用由氮气组成的等离子体，在谐振器端面(20、23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及
(b)在所述密着层(21、24)上形成由电介质构成的镀膜(22、25)的工序。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于：在所述工序(a)中，所述密着层(21、24)由铝、钽、硅、铌、锆的任意氮化物来形成。
3.如权利要求1所述的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于：在所述工序(b)中，所述镀膜(22、25)是利用由包含氩气的气体组成的等离子体来形成的。
4.如权利要求1或权利要求2所述的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于：在所述工序(a)中，以低速的成膜阶段和高速的成膜阶段的多级的生长速度来形成所述密着层(41、42、45、46)。
5.如权利要求1或权利要求2所述的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于：在所述工序(a)中，采用ECR溅镀装置。
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