[发明专利]制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置

权利要求书

1.一种制备多晶硅的方法，所述方法是改进的西门子法，其特 征在于，其包括：

a)抽空还原炉内的空气，以氮气置换数次，启动还原炉；

b)通过外部加热装置将三氯氢硅汽化加热，并与氢气以1∶3-17 的比例混合均匀；

c)将三氯氢硅和氢气混合的原料气通过还原炉上部和下部设置 的进气口供入还原炉反应器中，发生还原反应，其中还原炉保持在 900-1300℃温度、0.2-0.6MPa压力。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原炉上部和 下部分别设置至少一个进气口。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述还原炉上部和 下部分别设置2-4个进气口。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述还原炉上部设 置2个进气口，下部设置4个进气口。

5.如权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述进料气 体分别通过还原炉上部和下部设置的进气口同时供入；或者从还原炉 上部和下部设置的进气口交替供入；或者是反应初期从上下两处进气 口交替供入原料气，反应中后期同时供入原料气以发生还原反应。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述还原炉保持在 1000-1100℃温度、0.2-0.4MPa压力。

7.一种多晶硅还原炉，所述还原炉包括外层壳体(1)、内层 壳体(2)、位于所述还原炉底部的底盘(4)、硅芯(3)、冷却水 循环装置、设置在底盘处的下部进气口(8)和下部排气口(9)，其 特征在于，还原炉的顶部弧形部位处设置有2-4个上部进气口(17)。

8.如权利要求7所述的多晶硅还原炉，其特征在于，还原炉的 顶部弧形部位处设置有2个上部进气口(17)。

9.如权利要求7所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述还原 炉上部设置2个进气口，下部进气口有4个。

10.如权利要求7或9所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述 还原炉内的硅芯上方设置有防护板，以安置上部进气口。

11.如权利要求7或9所述的多晶硅还原炉，其特征在于，所述 下部和上部进气口分别经管道(14)与进气装置连接，并在还原炉外 设有能独立控制下部和上部进气口进料气体流量的调节阀(12)。