[发明专利]与非闪存设备及其编程方法

权利要求书

1.一种NAND闪存设备，包括：

单元阵列，包含多个页；

页缓冲器，存储页的编程数据；

数据存储电路，为所述页缓冲器提供编程验证数据；以及

控制单元，编程页并且在编程了至少两页之后使用编程验证数据验证页，

其中，所述控制单元顺序地编程并验证被编程的页，

其中，所述控制单元在编程了存储单元之后的时间间隔以后验证被编程的 页，该时间间隔大于被编程存储单元的阈值电压变得稳定的时间间隔。

2.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述编程数据通过数据 存储电路存储在页缓冲器中。

3.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，如果被编程的页没有通 过验证操作，则所述控制单元增加用于编程页的编程电压。

4.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，根据验证操作的结果更 新所述数据存储电路中存储的编程验证数据。

5.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述控制单元对每个页 至少额外地验证和编程一次。

6.如权利要求5所述的NAND闪存设备，其中，如果被编程的页没有通 过验证操作，则所述控制单元增加用于编程页的编程电压。

7.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述数据存储电路存储 从外部源输入的编程数据并且同时将该编程数据提供给所述页缓冲器。

8.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述数据存储电路具有 与所述页缓冲器相同的结构。

9.如权利要求1所述的NAND闪存设备，其中，所述数据存储电路包括 多个寄存器。

10.一种对NAND闪存设备编程的方法，该方法包括：

编程多个页；以及

在编程了多个页的至少两页之后验证被编程的页，

其中，验证被编程的页是对所述页顺序执行的，

其中，在编程了存储单元之后的时间间隔以后验证被编程的页，该时间间 隔大于被编程存储单元的阈值电压变得稳定的时间间隔。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：

如果被编程的页没有通过验证操作则增加用于编程页的编程电压；以及

重复页的编程和验证操作。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述重复页的编程对已经通过验 证操作的至少一页重复编程。

13.如权利要求10所述的方法，其中，所述编程多个页包括，对于所述 多个页中的每一页，对多级单元的最高有效位和最低有效位编程。

14.一种对NAND闪存设备编程的方法，该方法包括：

编程多个页；以及

在编程了多个页的至少两页之后验证被编程的页，

其中，验证被编程的页是对所述页顺序执行的，

其中，根据被编程存储单元的阈值电压变得稳定的时间间隔确定多个页的 数量，

其中，在编程了存储单元之后的时间间隔以后验证被编程的页，该时间间 隔大于被编程存储单元的阈值电压变得稳定的时间间隔。

15.一种对NAND闪存设备编程的方法，该方法包括：

编程多个页；以及

在编程了多个页的至少两页之后验证被编程的页，

其中，验证被编程的页是对所述页顺序执行的，

其中，要验证的页包括被确定为通过验证的至少一个虚拟页，

其中，在编程了存储单元之后的时间间隔以后验证被编程的页，该时间间 隔大于被编程存储单元的阈值电压变得稳定的时间间隔。