[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810184313.1 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101452906A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底上的第一布线，其中所述第一布线包括用作栅电极的第一区域和 用作栅极布线的第二区域；
所述第一区域上且与所述第一区域重叠的半导体层；
与所述第二区域接触的连接电极；
所述半导体层上的源电极和漏电极；
电连接至所述源电极或漏电极的第二布线；以及
与所述第二布线的一部分重叠的透明导电膜，
其中所述半导体层包含锌、镓和铟的氧化物作为所述半导体层的主要 成分，
其中所述第一区域的布线宽度方向截面的锥形角比所述第二区域的布 线宽度方向截面的锥形角小10°以上，
其中所述第二布线的布线宽度方向的截面形状包括第一端部和第二端 部，
其中所述透明导电膜与所述第一端部相接触，
其中所述第一端部的锥形角小于所述第二端部的锥形角，
其中所述连接电极在所述连接电极的两端上具有相同的锥形角，
其中所述连接电极的两端上的锥形角小于所述第二端部的锥形角，以 及
其中所述第一端部的锥形角在10°至50°的范围内。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一区域的布线宽度方向截面的锥形角在10°至50°的范围内。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第二区域的布线宽度方向截面的锥形角在60°至90°的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第二区域不与所述半导体层重叠。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述衬底具有使曝光光线透过的透光属性。
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