[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的电熔丝，该电熔丝具有第一互连、第二互连以及提供在所述第一互连和所述第二互连之间的通孔，所述第一互连和所述第二互连分别形成在不同层中，所述通孔连接到所述第二互连的一端并且还连接到所述第一互连；以及

保护互连部分，与所述第二互连形成在同一层中，以便包围所述第二互连的所述一端，

其中，在平视图中，所述第二互连形成为从另一端向所述一端延伸，并且所述保护互连部分形成为在三个方向上包围所述第二互连的所述一端，同时将所述一端设置在所述保护互连部分的中心；

其中，所述电熔丝由导电材料构成，以及

使得能够在断开状态中从所述第二互连向外形成所述导电材料的溢出部分，以及使得能够在所述第一互连和所述通孔之间、或者在所述通孔之中形成断开位置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述保护互连部分具有：提供在所述第二互连两侧的第三互连和第四互连，所述第三互连和第四互连在与所述第二互连基本上平行地延伸的同时足够长以至延伸超过所述第二互连的所述一端；以及第五互连，所述第五互连被提供在相对于所述另一端的、所述第二互连的所述一端的前面，同时基本上垂直于所述第二互连而延伸，使得所述第三互连、第四互连和第五互连在三个方向上包围所述第二互连的所述一端。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述保护互连部分在平视图中具有U形的图案。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述保护互连部分在平视图中具有由所述第三互连、第四互连和第五互连所形成的U形图案。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述溢出部分形成为延伸超过所述第二互连的所述一端。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述电熔丝还包括提供在所述第一互连和所述通孔之间的第一阻挡金属膜，在断开之前的状态下，所述第一阻挡金属膜与所述第一互连和所述通孔相接触，

以及，在断开的状态下，在所述第一阻挡金属膜和所述第一互连之间形成所述断开位置。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述电熔丝还包括第二阻挡金属膜，在断开之前的状态下，所述第二阻挡金属膜与所述第二互连的侧面相接触，以及

在所述断开的状态下，在所述第二阻挡金属膜中形成裂缝，并且通过经由所述裂缝流出的所述导电材料来形成所述溢出部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第二互连提供在所述第一互连的上层中，以及

所述第二互连和所述通孔具有双镶嵌互连结构。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中，所述第二互连提供在所述第一互连的上层中，以及

所述第二互连和所述通孔具有双镶嵌互连结构。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述电熔丝的所述第二互连具有比所述第一互连更大的体积。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，通过使得电流在从所述第一互连经由所述通孔到所述第二互连的方向上流动来断开所述电熔丝。