[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810184365.9 | 申请日： | 2008-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101459199A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 朴真河 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军;冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
第一聚合层，位于半导体衬底上方；
内部聚合介电层，位于该第一聚合层上方；
第二聚合层，位于该内部聚合介电层上方；
氧化物层，位于该第二聚合层的上部侧壁上；
第一绝缘层，位于该第一聚合层、该内部聚合介电层和该氧化物层的侧壁上，以及该第二聚合层的侧壁的其它部分上；以及
第二绝缘层，位于该第一绝缘层的侧壁上；
其中该第一绝缘层与该第一聚合层和该第二聚合层直接接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第一聚合层作为浮置栅极。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第二聚合层作为控制栅极。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第一绝缘层包括氧化物层。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该第二绝缘层包括氮化物层。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中该内部聚合介电层包括氧化物-氮化物-氧化物层。
7.一种半导体器件，包括：
第一聚合层，位于半导体衬底上方；
内部聚合介电层，位于该第一聚合层上方；
第二聚合层，位于该内部聚合介电层上方；
氧化物层，位于该第二聚合层的整个侧壁上；
第一绝缘层，位于该第一聚合层、该内部聚合介电层和该氧化物层的侧壁上；以及
第二绝缘层，位于该第一绝缘层的侧壁上；
其中该第一绝缘层与该第一聚合层直接接触。
8.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在衬底上方形成第一聚合层；
在该第一聚合层上方形成内部聚合介电层；
在该内部聚合介电层上方形成第二聚合层；
图案化位于该第二聚合层上方的硬掩模；
通过使用该硬掩模作为蚀刻掩模，蚀刻部分该第二聚合层；
在经暴露的该第二聚合层上形成氧化物层；以及
通过使用该硬掩模作为蚀刻掩模，蚀刻该第二聚合层、该内部聚合介电层以及该第一聚合层，以图案化该第二聚合层、该内部聚合介电层以及该第一聚合层。
9.根据权利要求8所述的方法，包括以下步骤：在经图案化的该第一聚合层、经图案化的该内部聚合介电层、经图案化的该第二聚合层和该氧化物层的侧壁上形成第一绝缘层和第二绝缘层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中该第一绝缘层包括氧化物层。
11.根据权利要求9所述的方法，其中该第二绝缘层包括氮化物层。
12.根据权利要求8所述的方法，其中该第一聚合层作为浮置栅极，并且该第二聚合层作为控制栅极。
13.根据权利要求8所述的方法，其中该内部聚合介电层包括氧化物-氮化物-氧化物层。
14.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
在衬底上方形成第一聚合层；
在该第一聚合层上方形成内部聚合介电层；
在该内部聚合介电层上方形成第二聚合层；
该第二聚合层上方图案化硬掩模；
通过使用该硬掩模作为蚀刻掩模，蚀刻该第二聚合层，以暴露该内部聚合介电层；
在暴露的该第二聚合层上形成氧化物层；以及
通过使用该硬掩模作为蚀刻掩模，蚀刻该内部聚合介电层和该第一聚合层，以图案化该内部聚合介电层和该第一聚合层。
15.根据权利要求14所述的方法，包括以下步骤：在经图案化的该第一聚合层、经图案化的该内部聚合介电层和该氧化物层的侧壁上形成第一绝缘层和第二绝缘层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中该第一绝缘层包括氧化物层。
17.根据权利要求15所述的方法，其中该第二绝缘层包括氮化物层。
18.根据权利要求14所述的方法，其中该第一聚合层作为浮置栅极，并且该第二聚合层作为控制栅极。
19.根据权利要求14所述的方法，其中该内部聚合介电层包括氧化物-氮化物-氧化物层。
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