[发明专利]光传感器和显示器

权利要求书

1.一种光传感器，包括：

控制电极，形成在基板上，并且具有两个边缘；以及

半导体膜，形成为与所述控制电极相对，其间设有绝缘膜，并且所述半 导体膜包括光敏层和成对地位于所述光敏层的相对两侧的电极区域；其中

所述光敏层布置在与所述控制电极重叠的区域中；并且

所述成对的电极区域中的至少一个与所述控制电极的所述边缘中邻近 的一个重叠，并且在所述邻近的边缘上并沿着所述邻近的边缘，所述至少一 个电极区域的长度短于所述光敏层在沿着所述控制电极的所述邻近的边缘 的方向上的长度。

2.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述成对的电极区域包括构 造金属氧化物半导体晶体管的源极区域和漏极区域。

3.根据权利要求1所述的光传感器，其中所述成对的电极区域包括构 造p-本征-n二极管的阳极区域和阴极区域。

4.一种显示器，在基板上设置有像素元件和光传感器，其中

所述光传感器的每一个都包括：

控制电极，形成在所述基板上，并且具有两个边缘；和

半导体膜，形成为与所述控制电极相对，其间设有绝缘膜，并且所述半 导体膜包括光敏层和成对地位于所述光敏层的相对两侧的电极区域；

所述光敏层布置在与所述控制电极重叠的区域中；以及

所述成对的电极区域的至少一个与所述控制电极的所述边缘中邻近的 一个重叠，并且在所述邻近的边缘上并沿着所述邻近的边缘，所述至少一个 电极区域的长度短于所述光敏层在沿着所述控制电极的所述邻近的边缘的 方向上的长度。

5.一种光传感器，包括：

控制电极，形成在基板上；和

半导体膜，形成为与所述控制电极相对，其间设有绝缘膜，并且所述半 导体膜包括光敏层和成对地位于所述光敏层的相对两侧的电极区域；其中

所述光敏层布置在与所述控制电极重叠的区域中；并且

所述成对的电极区域的至少一个具有与所述控制电极重叠的一部分，且 所述部分提供有至少一个缺口。

6.一种光传感器，包括：

控制电极，形成在基板上；以及

半导体膜，形成为与所述控制电极相对，其间设有绝缘膜，并且所述半 导体膜包括光敏层和成对地位于所述光敏层的相对两侧的电极区域；其中

所述光敏层布置在与所述控制电极重叠的区域中；并且

所述成对的电极区域的至少一个具有与所述控制电极重叠的一部分，且 所述部分提供有至少一个通孔。

7.一种显示器，在基板上设置有像素元件和光传感器，其中

所述光传感器的每一个都包括：

控制电极，形成在所述基板上；以及

半导体膜，形成为与所述控制电极相对，其间设有绝缘膜，并且所述半 导体膜包括光敏层和成对地位于所述光敏层的相对两侧的电极区域；

所述光敏层布置在与所述控制电极重叠的区域中；并且

所述成对的电极区域的至少一个具有与所述控制电极重叠的一部分，并 且所述部分提供有至少一个缺口。

8.一种显示器，在基板上设置有像素元件和光传感器，其中

所述光传感器的每一个都包括：

控制电极，形成在所述基板上；以及

半导体膜，形成为与所述控制电极相对，其间设有绝缘膜，并且所述半 导体膜包括光敏层和成对地位于所述光敏层的相对两侧的电极区域；

所述光敏层布置在与所述控制电极重叠的区域中；并且

所述成对的电极区域的至少一个具有与所述控制电极重叠的一部分，并 且所述部分提供有至少一个通孔。