[发明专利]树脂管

说明书

本申请是基于2007年12月28日递交的日本专利申请No.2007-338690并要求其优先权；该申请的整个内容以引用的方式并入本申请中。

技术领域

本申请涉及树脂管，其不但用于诸如超纯水(UPW)或化学溶液等液体的运输管线而且还用于暴露于诸如氢氟酸等化学溶液的恶劣环境中。

背景技术

通常，在半导体器件、液晶显示器件或与其相类似的器件的制造中，通常通过树脂管传输和供给超纯水(UPW，包括包含氢或臭氧的超纯水，即所谓的氢水(hydrogen water)或臭氧水(ozone water))以及各种化学溶液等。超纯水被用于半导体器件或相类似的器件制造的各种过程中。这是因为，如果在清洗过程中使用的水或与其相类似的物质包括大量的溶解氧形式的氧，由于所述溶解氧的存在，自然氧化物薄膜被形成。然而，目前已经指出，即使使用超纯水，也同样地形成自然氧化物薄膜。因此已经尝试完全除去包含在超纯水中的氧、粒子以及金属成分。

例如，在使用硅衬底制造半导体器件的过程中，如果氧和水共存，那么会在硅表面上形成自然氧化物(SiOx)薄膜。尤其是，已经指出，如果氧包含在水溶液中，那么所述硅表面被氧化和蚀刻，从而导致了表面微观粗糙度的增加。

近些年来，由于与硅的(100)晶面相比，对于PMOSFET具有大的电流驱动能力，硅的(110)晶面的使用已经给予了注意。然而，与硅的(100)晶面相比，硅的(110)晶面在包含有氧的水溶液中被更严重或更快地蚀刻。相应地，当使用所述水溶液通过湿法清洗(方法)清洗硅的表面时，必需防止氧被混入到水溶液中。

日本未审查专利申请公开(JP-A)NO.2006-112507(专利文件1)揭示了作为在半导体制造设备、液晶制造设备、或相类似的设备中使用的管子的包括两种相互层叠的氟树脂层的氟树脂双管。在专利文件1揭示的氟树脂双管包括内层管和外层管。所述内层管由具有极好的抗腐蚀性和耐化学性的氟树脂(例如，四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚的共聚物(PFA)，四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)或四氟乙烯-乙烯共聚物(ETFE)形成。另一方面，所述外层管由能够抑制气体渗透或透过的氟树脂(例如聚偏二氟乙烯，(PVDF)形成。所述内层管和外层管熔融结合在一起。

在专利文件1中揭示的氟树脂双管具有很好的抗腐蚀性、耐化学性和不透气性。另外，所述内层管和外层管能被牢固地结合在一起。

在对应于美国专利2007-231523A1的日本未审查专利申请公开NO.2007-292292(专利文件2)中，本发明人之前提出了包括PFA的内层和尼龙的外层的树脂管。

发明内容

专利文件1揭示了所述氟树脂双管，其中，在内层管和外层管之间的剥离强度是3.0N/m或更大。另外，专利文件1限定了氧渗透性和氧渗透系数且指出可降低氧渗透性和氧渗透系数。

专利文件1描述了具有PFA层和PVDF层分别作内层和外层的氟树脂双管，当在这些层之间没有施加亲水处理和施加亲水处理时，该氟树脂双管分别地显示出0.135和0.025(grams·mil/100in²·24hr·atm)的氧渗透系数。

然而，如在专利文件1中揭示的包括用作外层的PVDF管子的氟树脂双管在下述的方面是不利的。因为PVDF不具有挠性，所以该氟树脂双管不适合用作被弯曲成各种形状的管子，尽管它适合用作直管。

另一方面，专利文件2揭示了具有在半导体制造设备、液晶制造设备以及相类似的设备中必需的氧气渗透性、氧渗透系数以及挠性的树脂管。所述树脂管适合用于液体诸如超纯水(UPW)或化学溶液的液体传输管线。在此处所指出的，在半导体制造设备、液晶制造设备以及相类似的设备中由树脂管构建的液体传输管线可被设置在暴露于诸如氢氟酸的化学溶液的环境中。在专利文件2中揭示的树脂管的不利之处在于，如果在这样的环境中使用，形成外层的尼龙对诸如氢氟酸等一些种类的化学品是没有抵抗性的且可能依据所述化学品可能被洗提出去。

本发明的一个目的是提供可在暴露于各种化学品的环境中使用的树脂管。

本发明的另一个目的是提供一种树脂管，该树脂管具有在半导体制造设备、液晶制造设备等中必需的氧渗透性、氧渗透系数和挠性，并且也具有耐腐蚀性。

本发明的再另一个目的是提供一种树脂管，所述树脂管能够维持不大于5×10⁶(分子·cm/cm²·sec·Pa)的氧渗透系数，以获得10ppb或更少的溶解氧量。