[发明专利]光电半导体装置

权利要求书

1.一种半导体光电元件，包含：

基板；

半导体系统形成于该基板之上，包含有源层；及

电极结构，形成于该半导体系统之上，该电极结构包含：

第一电性接触区及第一电性打线垫；

第二电性打线垫；

第一电性延伸线路；

第二电性延伸线路，其中该第一电性延伸线路与该第二电性延伸线路以立体跨接方式交错；及

绝缘层，形成于该第一电性延伸线路与该第二电性延伸线路的交会跨接处。

2.如权利要求1所述的半导体光电元件，其中该半导体系统还包含第一电性层及第二电性层。

3.如权利要求2所述的半导体光电元件，其中该第一电性延伸线路电性连接该第一电性接触区或该第一电性打线垫，且该第二电性延伸线路电性连接该第二电性打线垫。

4.如权利要求1所述的半导体光电元件，其中该第二电性延伸线路形成封闭的对称几何结构，包括：三角形、矩形、菱形或六角形。

5.如权利要求4所述的半导体光电元件，其中该第一电性接触区形成于该第二电性延伸线路形成的对称几何结构的中央或至少两条该第一电性延伸线路交会处。

6.如权利要求4所述的半导体光电元件，其中该第二电性打线垫形成于该第二电性延伸线路形成的对称几何结构之上。

7.如权利要求2所述的半导体光电元件，其中该第二电性延伸线路形成于该第二电性层之上，并与该第二电性层电性连接。

8.如权利要求2所述的半导体光电元件，其中该绝缘层形成于该第二电性层之上。

9.如权利要求8所述的半导体光电元件，其中该第一电性延伸线路形成于该绝缘层之上。 

10.如权利要求2所述的半导体光电元件，其中该第一电性接触区与该第一电性层直接接触且与该第一电性层电性连接。

11.如权利要求8所述的半导体光电元件，其中该第一电性延伸线路包含纵向第一电性延伸线路与横向第一电性延伸线路，其中该绝缘层形成于该横向第一电性延伸线路之下。

12.如权利要求1所述的半导体光电元件，其中该半导体系统包含发光二极管、激光二极管、太阳能电池、有机发光二极管中至少其一。