[发明专利]具有反射结构的太阳能电池

权利要求书

1.一种具有反射结构的太阳能电池，包括：堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以及背面电极，其特征在于：

该N型层为低折射率材料层，且该低折射率材料层的折射率低于该本征层的折射率。

2.如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率材料层与相接的该本征层的折射率差大于或等于2。

3.如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率材料层的厚度小于150nm。

4.如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率材料层的材料包括N型氧化硅、碳化硅、氮化硅、非晶硅或微晶硅。

5.如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率材料层为N型氧化硅层时，该N型氧化硅层的导电度大于10-6S/cm。

6.如权利要求1所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：还包括一组底电池，位于该N型层与该背面电极之间，该底电池包括堆栈的底电池P型层、底电池本征层以及底电池N型层。

7.如权利要求6所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率材料层的折射率低于该底电池P型层的折射率。

8.一种具有反射结构的太阳能电池，包括：堆栈的正面电极、P型层、本征层、N型层以及背面电极，其特征在于：

该N型层为多层结构，该多层结构是由多个以低折射率与高折射率互相堆栈的膜所构成，且于该多层结构中与该本征层接触的是低折射率膜，其中该低折射率膜的折射率低于该本征层的折射率。

9.如权利要求8所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率膜与相接的该本征层的折射率差大于或等于2。

10.如权利要求8所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该多层结构的厚度小于150nm。

11.如权利要求8所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率膜的材料包括N型氧化硅、碳化硅、氮化硅、非晶硅或微晶硅。

12.如权利要求8所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率膜为N型氧化硅层时，该N型氧化硅层的导电度大于10^-6S/cm。

13.如权利要求8所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：于该多层结构中与该背面电极接触的是高折射率膜，该高折射率膜的折射率大于该背面电极的折射率。

14.如权利要求13所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率膜与该高折射率膜的折射率差大于或等于2。

15.如权利要求8所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：还包括一组底电池，位于该N型层与该背面电极之间，该底电池包括堆栈的底电池P型层、底电池本征层以及底电池N型层。

16.如权利要求15所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该多层结构包括堆栈的该低折射率膜、高折射率膜以及另一低折射率膜。

17.如权利要求16所述的具有反射结构的太阳能电池，其特征在于：该低折射率膜的折射率低于该底电池P型层的折射率。