[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于设有：

半导体衬底；

配置在所述半导体衬底上的第1绝缘膜；

配置在所述第1绝缘膜上的、由多晶硅构成的电阻体；

离开所述电阻体而形成的布线层；

配置在所述电阻体和所述布线层上的第2绝缘膜；

在所述第2绝缘膜的设于所述电阻体一端上的第1接触孔和设于所 述布线层上的第2接触孔之间连接的第1金属布线；

所述第2绝缘膜的设于所述电阻体另一端上的第3接触孔；以及

覆盖分别设于所述电阻体的两端的所述第1和所述第3接触孔之间 的区域，并与所述布线层上的第4接触孔连接的第2金属布线。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述布线层由设于所 述半导体表面的、其导电型与所述半导体衬底相反的杂质区构成。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述布线层由形成在 所述第1绝缘膜上的多晶硅构成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电阻体具有设于 两端的高浓度杂质区和设于所述高浓度杂质区之间的低浓度杂质区， 所述第1接触孔和所述第3接触孔设于各所述高浓度杂质区，所述第 2金属布线覆盖在所述低浓度杂质区上。

5.一种半导体装置，其特征在于设有：

半导体衬底；

配置在所述半导体衬底上的第1绝缘膜；

配置在所述第1绝缘膜上的、由具有低浓度杂质区和高浓度杂质区 的多晶硅构成的电阻体；

配置在所述电阻体上的第2绝缘膜；

在所述第2绝缘膜上的、配置成覆盖在所述电阻体的低浓度杂质区 上的第1金属布线；

在所述第2绝缘膜上的、与设于所述电阻体的高浓度杂质区的接触 孔连接的第2金属布线；

配置在所述第1和第2金属布线上的第3绝缘膜；

具有设在所述第3绝缘膜上的第3金属布线层，所述第1金属布线 和所述第3金属布线通过设于所述第3绝缘膜上的通路孔而连接，所 述第2金属布线和所述第3金属布线通过设于所述第3绝缘膜上的另 一通路孔而连接。

6.一种半导体装置，其特征在于设有：

半导体衬底；

配置在所述半导体衬底上的第1绝缘膜；

配置在所述第1绝缘膜上的、由多晶硅构成的电阻体；

在所述电阻体上形成的第2绝缘膜；

所述第2绝缘膜的分别设于所述电阻体两端的接触孔；

所述第2绝缘膜上的、配置成覆盖分别设于所述电阻体两端的所述 接触孔之间的区域的第1金属布线；

所述第2绝缘膜上的、与所述电阻体一端的接触孔连接的第2金属 布线；

在所述第1和第2金属布线上形成的第3绝缘膜；

具有在所述第3绝缘膜上形成的第3金属布线层，所述第1金属布 线和所述第3金属布线通过设在所述第3绝缘膜上的通路孔而连接， 所述第2金属布线和所述第3金属布线通过设于所述第3绝缘膜上的 另一通路孔而连接。