[发明专利]具有肖特基二极管的高压半导体元件

权利要求书

1.一种整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件包括：

一第一元件，其包括：

一半导体基底；

一第一型体掺杂区于所述半导体基底的一第一区域中；

一第二型漂移区于所述半导体基底的一第二区域中，且与所述第一型体掺杂区间存在一结；

一绝缘区于所述半导体基底上，定义出一主动区域；

一介电层于所述半导体基底表面，其第一端跨越所述绝缘区上的部分表面，且其第二端露出所述第一型体掺杂区的一区域；

一第一电极位于所述第一型体掺杂区露出的部分区域上；

一第二型浓掺杂区位于所述第二型漂移区中，且与所述绝缘区的一第二端接触；

一第二电极位于所述第二型浓掺杂区上；及

一第三电极位于所述介电层上；以及

一第二元件，包括：

一第二型漂移区于所述半导体基底的所述第一区域和所述一第二区域中；

一第一电极位于所述第二型漂移区于所述半导体基底的所述第一区域上；

一第二型浓掺杂区位于所述第二型漂移区于所述半导体基底的所述第二区域中；及

一第二电极位于所述第二型浓掺杂区上；以及

所述第一元件与所述第二元件沿所述第一电极的一长轴方向相邻。

2.如权利要求1所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，所述第一电极和所述第三电极电性接触。

3.如权利要求1所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，所述第一元件为一横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS元件，且所述第二元件为一肖特基二极管。

4.如权利要求1所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，于所述第二元件中，所述第一电极与所述第二型漂移区之间存在一肖特基结。

5.如权利要求4所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，于顺偏压操作时，由所述第二元件的所述第一电极与所述第二型漂移区之间的所述肖特基结提供电流，并且于逆偏压操作时，在第一元件的所述第二型漂移区与所述第一型体掺杂区间的所述结处形成一完全空乏区，以达耐高压。

6.一种整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件包括：

一LDMOS元件，包括：

一半导体基底；

一P-型体掺杂区于所述基底的一第一区域中；

一N-型漂移区于所述基底的一第二区域中，且与所述P-型体掺杂区间存在一结；

一绝缘区于基底上，定义出一主动区域；

一栅极介电层于所述基底表面，其第一端跨越所述绝缘区上的部分表面，且其第二端露出所述P型体掺杂区的一区域；

一阳极电极位于所述P-型体掺杂区露出的所述区域上；

一N-型浓掺杂区位于所述N-型漂移区中，且与所述绝缘区的一第二端接触；

一阴极电极位于所述N-型浓掺杂区上；及

一多晶硅栅极位于所述介电层上，其一端延伸至所述绝缘区上；以及

一肖特基二极管元件，包括：

所述N-型漂移区于所述半导体基底的所述第一区域和所述一第二区域中；

所述阳极电极位于所述N-型漂移区于所述半导体基底的所述第一区域上；

所述N-型浓掺杂区位于所述N-型漂移区于所述半导体基底的所述第二区域中；及

所述阴极电极位于所述N-型浓掺杂区上；以及

所述LDMOS元件与所述肖特基二极管元件沿所述阳极电极的一长轴方向相邻。

7.如权利要求6所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，所述阳极电极和所述多晶硅栅极电性接触。

8.如权利要求6所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，于所述肖特基二极管元件中，所述阳极电极与所述N-型漂移区之间存在一肖特基结。

9.如权利要求6所述的整合肖特基二极管的高功率半导体元件，其特征在于，所述P-型体掺杂区为一环型区域，且于所述环型区域的中央区域，由所述绝缘区定义所述N-型浓掺杂区，其中所述环型区域具有两开口区含所述N-型漂移区。