[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于：

在第1衬底上具备像素，而上述像素具备：

半导体层，弯曲成U字形：

栅极线，经由栅极绝缘膜而与上述半导体层在第1及第2交叉部交叉；

漏极线，经由第1接触孔连接在上述半导体层的漏极区域，而覆盖从上 述第1交叉部延伸的半导体层的上方而形成；

源极电极，经由第2接触孔而连接在上述半导体层的源极区域，而覆盖 从上述第2交叉部延伸的半导体层的上方而形成；

遮光层，经由缓冲膜形成在上述第1及第2交叉部的半导体层的下方， 而遮住入射至上述半导体层的光；

电容线，经由上述栅极绝缘膜而形成在上述半导体层上；及

像素电极，连接在上述源极电极，

其中，上述源极区域及漏极区域分别由低浓度区域及高浓度区域所构成， 而上述遮光层覆盖上述低浓度区域的全体，进而从上述低浓度区域的端缘覆 盖上述高浓度区域2μm以上而形成。

2.一种显示装置，其特征在于：

在第1衬底上具备像素，而上述像素具备：

半导体层；

栅极线，经由栅极绝缘膜而与上述半导体层在一个交叉部交叉：

漏极线，经由第1接触孔而连接在上述半导体层的漏极区域，而覆盖从 上述交叉部延伸的半导体层的上方而形成；

源极电极，经由第2接触孔而连接在上述半导体层的源极区域上：

遮光层，经由缓冲膜而形成在上述交叉部的半导体层的下方，而遮住入 射至上述半导体层的光；

电容线，经由上述栅极绝缘膜而形成在上述半导体层上；及

像素电极，连接在上述源极电极，

其中，上述源极区域及漏极区域分别由低浓度区域及高浓度区域所构成， 而上述遮光层覆盖上述低浓度区域的全体，进而从上述低浓度区域的端缘覆 盖上述高浓度区域2μm以上而形成。

3.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中还具备与上述第1衬底相 对配置的第2衬底、及被封入在上述第1衬底与上述第2衬底之间的液晶。

4.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，上述遮光层的电 位与上述栅极线的电位设定成相同。

5.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，上述遮光层与上述栅极 线在除了上述像素的形成区域以外的上述第1衬底上以接触孔连接。

6.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，上述遮光层的电位与上 述电容线的电位设定成相同。

7.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，上述缓冲膜的膜厚为 300nm以上。

8.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，上述源极电极及漏极线 的端缘比上述遮光层的端部更向外侧扩张。

9.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，上述遮光层的端部比上 述源极电极及漏极线的端缘更靠外侧扩张。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，上述遮光层从上述半导体 层的端缘朝离开2μm以上外侧扩张。

11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，上述源极电极及上述漏极 线覆盖上述低浓度区域的整体，进而从上述低浓度区域的端缘覆盖上述高浓 度区域2μm以上而形成。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，上述源极电极及上述漏极 线，从上述半导体层的端缘朝离开2μm以上外侧扩张。

13.根据权利要求1或2所述的显示装置，其中，上述遮光层形成在除 了上述第1及上述第2接触孔的下方以外的区域。