[发明专利]发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，至少包括：

表面层；

发光层，位于该表面层的下方，且发出光为具有一波长的光；

反射层，位于该发光层的下方；

第一载流子导电层，位于该发光层与该反射层间；

其中该发光层位于该反射层与该表面层之间，且该发光层和该反射层之 间的光学厚度为四分之一该波长的整数倍，并容许±15％；

导电层，位于该发光层与该反射层之间且位于该第一载流子导电层的下 方；及

光转化层，位于该导电层的表面，并位于该第一载流子导电层和该反射 层之间，该光转化层包括孔洞，延伸入该反射层。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光层与该反射层之间的光学 厚度为介于四分之一该波长的整数m-1倍与m+1倍之间。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中该表面层和该反射层之间的光学 厚度等于或小于该波长的5倍。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光层至少包括量子井结构或 量子点。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光层至少包括荧光无机材料 或荧光有机材料。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光层至少包括磷光无机材料 或磷光有机材料。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中该反射层至少包括金属。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中该表面层为偏振层，且该偏振层 至少包括：金属层。

9.如权利要求8所述的发光装置，其中该金属层至少包括周期性平行条 状间隔排列的金属层。

10.如权利要求8所述的发光装置，其中该偏振层至少包括：多个介电质 堆叠结构的偏振薄膜或有机偏振材料层。

11.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光装置包括发光二极管。

12.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光装置包括有机发光二极 管。

13.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光装置包括高分子发光二 极管。

14.如权利要求1所述的发光装置，其中具有该波长的光至少包括：可见 光、UV紫外光或红外光。

15.如权利要求1所述的发光装置，其中该表面层至该反射层的该光学厚 度等于或小于该波长20倍，但大于或等于二分之一该波长。

16.如权利要求1所述的发光装置，还包括：

第二载流子导电层，位于该表面层与该发光层之间。

17.如权利要求1所述的发光装置，其中该光转化层为具有多个结构的界 面层，这些结构以图案分布于该光转化层的界面，且该界面的介电性质为随 着该图案变化的空间函数，使该发光装置发射光具有准直化特性。

18.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光层与该反射层之间的光学 厚度为四分之一该波长m倍，其中m为正整数，且1≤m≤40。

19.如权利要求17所述的发光装置，其中这些图案为周期性图案。

20.如权利要求17所述的发光装置，其中这些图案为非周期性图案。

21.如权利要求19所述的发光装置，其中该周期性图案至少包括：蜂巢 状、不等边平行四边形、等边平行四边形、环状、1D栅状或准晶相的。

22.如权利要求1所述的发光装置，其中该光转化层的材料至少包括透明 导电材料或载流子导电材料。

23.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光装置至少包括：半导体光 放大器。

24.如权利要求16所述的发光装置，其中该第一、第二载流子导电层或 发光层的材料至少包括III-V族半导体材料。