[发明专利]具有一对磁性层的CPP型磁阻效应元件

权利要求书

1.一种磁阻效应元件，其包含：

一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及

结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；

其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；

其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且

其中磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间的层结构。

2.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述一对磁性层包含磁化方向相对于外磁场固定的固定层和磁化方向根据外磁场变化的自由层。

3.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述隔体层具有其中ZnO层夹在Cu层之间的层结构。

4.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其中所述CoFeB层中的B具有在从6％至31％范围内的原子百分比。

5.根据权利要求3所述的磁阻效应元件，其中所述CoFeB层具有在从0.1nm至1.0nm范围内的膜厚度。

6.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述隔体层具有其中ZnO层夹在Cu层和Zn层之间的层结构。

7.根据权利要求6所述的磁阻效应元件，其中CoFe中的Co具有在从70％至90％范围内的原子百分比，其中所述CoFe组成所述CoFeB层。

8.根据权利要求1所述的磁阻效应元件，其中所述隔体层包含MgO层。

9.根据权利要求8所述的磁阻效应元件，其中所述CoFeB层具有在从0.1nm至1.0nm范围内的膜厚度。

10.根据权利要求8所述的磁阻效应元件，其中所述CoFe层具有在从0.1nm至1.2nm范围内的膜厚度。

11.一种包含根据权利要求1的磁阻效应元件的薄膜磁头。

12.一种滑触头，其包含：

层叠体，所述层叠体包含根据权利要求1的磁阻效应元件；以及

一对电极，在所述一对电极之间夹有所述层叠体，所述电极适于向所述层叠体供应感应电流。

13、一种包含形成在其中的根据权利要求1的磁阻效应元件的晶片。

14.一种磁头万向节组件，其包含：

根据权利要求12的滑触头；以及

弹性支撑所述滑触头的悬架。

15.一种硬盘驱动器，其包含：

根据权利要求12的滑触头；以及

用于支撑所述滑触头并用于将所述滑触头相对于记录介质定位的元件。