[发明专利]具有调色层的全色有机发光装置有效
申请号: | 200810185341.5 | 申请日: | 2004-08-11 |
公开(公告)号: | CN101452948A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 徐旼彻;郑昊均;李城宅;权章赫 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李昕巍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 调色 全色 有机 发光 装置 | ||
本申请是2004年8月11日提交的第200410056483.3号专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置(OLED),并且更加特别地涉及一种具有调色层的有机发光装置。
背景技术
通常,有机发光装置(以下称作OLED)包括基板、位于基板上的阳极、位于阳极上的发射层、以及位于发射层上的阴极。在具有上述结构的OLED中,当在阳极与阴极之间施加电压时,空穴和电子注入到发射层中,随后在发射层中结合产生辐射蜕变的激子。这种辐射称作电致发光(EL)。
制造传统全色OLED的方法包括形成分别与红(R)、绿(G)和蓝(B)色相对应的发射层。但在该方法中,发射层具有彼此不同的寿命特性,使得难以在将其驱动很长时间以后保持白平衡。
为解决此问题,美国专利第6515428号公开了一种具有通过光刻工艺形成的滤色片(以下称作CF)和用于发射白色光的发射层的OLED。然而,通过光刻工艺形成R、G和B色CF需要重复每种颜色CF材料的旋涂、以及曝光、显影和构图的工艺。在这些工艺中,先前形成的CF可能由旋涂在该CF上的另一种颜色的CF材料所污染。另外,应进行热处理以去除包括在通过光刻工艺形成的CF中的任何挥发性溶剂。由此,通过光刻工艺形成CF具有需要大量的工艺和较多的时间来制造OLED的缺陷。
美国专利第6522066号中公开了一种具有通过光刻工艺形成的色彩转变介质(以下称作CCM)和用于发射蓝光的发射层的OLED。与通过光刻工艺形成CCM相关的问题通常和与形成CF相关的问题相同。
为解决上述问题,韩国专利申请第2001-0000943号中公开了一种包括通过真空沉积工艺形成的CF或CCM的OLED。然而,利用真空沉积工艺形成CF或CCM通过使用金属掩模分别沉积与R、G和B相对应的层来进行。这使得由于在金属掩模与基板之间对准困难而难以实现较高的分辨率。另一个缺点在于与R、G和B相对应的层分别在独立的反应室内沉积,明显提高了设备投资。
发明内容
本发明的典型实施例提供了一种OLED,其具有缩短的制造时间和较高的分辨率,并且即使在驱动很长时间后仍能保持白平衡。在本发明的实施例中,该OLED包括基板、位于基板上的第一电极、以及位于第一电极上的第二电极,其中第一电极和第二电极中的至少一个是透明电极。至少具有发射层的有机功能层插在第一与第二电极之间。通过激光诱导热成像(以下称作LITI)法形成的调色层位于透明电极与邻近发射层的表面相对的表面上,其中调色层为CF和CCM中的至少一种。
根据本发明另一典型实施例,当调色层为CF时,发射层为发射白光的层。当调色层为CCM时,发射层为发射蓝光的层。调色层可具有CCM和CF的叠层结构。具有CCM和CF的调色层可通过LITI法一次形成。
根据本发明另一典型实施例,发射层可包括聚合材料和非聚合材料中的至少一种。发射层可具有至少两层发射层的叠层结构。发射层可通过真空沉积法和旋涂法形成。另外,有机功能层还可包括电荷注入层和电荷输运层中的至少一个。
根据本发明另一典型实施例,当第一电极为反射电极时第二电极可为透明电极,而调色层位于第二电极上。在此情况下,OLED还可包括与第一电极电性连接的薄膜晶体管(TFT)。另外,OLED还可包括插在第二电极与调色层之间的钝化层。钝化层可为无机层、有机层、以及无机层和有机层的复合层中的一个。OLED还可包括调色层上的上覆层。
在本发明又一典型实施例中,当第二电极为反射电极时第一电极可为透明电极,而调色层位于基板与第一电极之间。在此情况下,OLED还可包括与第一电极连接的薄膜晶体管。另外,OLED还可包括插在第一电极与调色层之间上覆层。
在本发明又一典型实施例中,第一电极和第二电极可以是透明电极。在此情况下,位于基板与第一电极之间的调色层为第一调色层,而位于第二电极上的调色层为第二调色层。OLED还可包括插在第一电极与第一调色层之间的第一上覆层。OLED还可包括第二调色层与第二电极之间的钝化层。OLED还可包括第二调色层上的第二上覆层。另外,OLED还可包括与第一电极电性连接的TFT。
附图说明
通过参照附图详细介绍本发明的典型实施例,将使本领域技术人员更加明晰本发明的上述和其它特征及优点,附图中:
图1和2为示出根据本发明实施例的OLED及其制造方法的截面图;
图3和4为示出根据本发明另一典型实施例的OLED及其制造方法的截面图;
图5和6为示出根据本发明另一典型实施例的OLED及其制造方法的截面图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的