[发明专利]半导体器件的金属互连件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的金属互连件的制造方法，该方法包括如下步骤：

在其上具有器件的半导体衬底上形成第一电介质；

在该第一电介质上形成第二电介质和金属层图案；

在该第二电介质上形成包围光致抗蚀剂图案的第一聚合物图案；

使用该第一聚合物图案作为掩模而蚀刻，以形成通孔；

在形成该通孔后，移除该光致抗蚀剂图案和该第一聚合物图案；以及

通过填充该通孔，形成接触件。

2.如权利要求1所述的方法，其中形成该第一聚合物图案的步骤包括：

在该第二电介质上形成光致抗蚀剂图案；

在该光致抗蚀剂图案上形成第二聚合物层；

通过在该光致抗蚀剂图案与该第二聚合物层之间形成第一聚合物层，形成该第一聚合物图案；以及

移除位于该第一聚合物图案上的该第二聚合物层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中通过在具有该光致抗蚀剂图案和该第二聚合物层的该半导体衬底上执行热处理工艺，形成该第一聚合物图案。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在90℃到300℃的温度执行该热处理工艺。

5.根据权利要求2所述的方法，其中通过显影工艺移除该第二聚合物层。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该第二聚合物层包括热固性材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中当形成该通孔时，暴露该金属层图案。

8.根据权利要求1所述的方法，其中该第一聚合物图案包围该光致抗蚀剂图案的顶部和侧部。

9.根据权利要求1所述的方法，其中该第一聚合物图案是相互间隔开的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案形成在多个金属层图案之间的相应区域上。

11.一种半导体器件的金属互连件的制造方法，该方法包括如下步骤：

在其上具有器件的半导体衬底上形成第一电介质；

在该第一电介质上形成金属层图案；

在该金属层图案上形成第二电介质；

在该第二电介质上形成光致抗蚀剂图案，该光致抗蚀剂图案限定多个通孔；

形成包围该光致抗蚀剂图案的第一聚合物图案；

通过使用该第一聚合物图案和该光致抗蚀剂图案作为掩模而蚀刻该第二电介质，以形成所述通孔；

在形成所述通孔后，移除该光致抗蚀剂图案和该第一聚合物图案；以及

通过使用导体填充所述通孔，形成接触件。

12.根据权利要求11所述的方法，其中形成该第一聚合物图案的步骤包括：

在该光致抗蚀剂图案上形成第二聚合物层；

通过加热该光致抗蚀剂图案和该第二聚合物层，在该光致抗蚀剂图案和该第二聚合物层之间的界面处形成该第一聚合物图案；以及

移除存留的该第二聚合物层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中该光致抗蚀剂图案和该第二聚合物层是在90℃到300℃的温度加热的。

14.根据权利要求12所述的方法，其中移除存留的该第二聚合物层的步骤包括显影该第二聚合物层。

15.根据权利要求12所述的方法，其中该第二聚合物层包括热固性材料。

16.根据权利要求11所述的方法，其中形成该通孔以暴露该金属层图案。

17.根据权利要求11所述的方法，其中该第一聚合物图案包围该光致抗蚀剂图案的顶部和侧壁。