[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810185358.0 申请日: 2008-12-22
公开(公告)号: CN101661979A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 林孜翰;翁瑞坪;林孜颖;傅国荣 申请(专利权)人: 采钰科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 郭晓东;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

一半导体基底,具有一凹穴;

一发光二极管芯片,设置于该凹穴内;

至少两个分隔的外部导线层,设置于该半导体基底的下表面且电性连接至该发光二极管芯片,用以作为输入端;以及

一透镜模块,贴附于该半导体基底的上表面,以覆盖该凹穴,包括:

一模塑透镜;

一透明导电层,其上涂覆一荧光材料且位于该模塑透镜下方;以及

一玻璃基底,设置于该透明导电层与该模塑透镜之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括:

一透明树脂,位于该半导体基底上并填入该凹穴以覆盖该发光二极管芯片;以及

一反射层,涂覆于该透镜模块的边缘。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,还包括至少两个分隔的内部导线层,设置于该凹穴内,且电性连接于该发光二极管芯片与所述分隔的外部导线层之间。

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其中该半导体基底包括位于该凹穴下方的至少两个贯穿开口,使所述外部导线层分别通过所述贯穿开口而电性连接至该内部导线层。

5.根据权利要求3所述的半导体装置,其中所述外部导线层延伸至该半导体基底的侧壁,且所述内部导线层延伸至该半导体基底的上表面,使所述外部导线层分别电性连接至所述内部导线层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中该荧光材料包括多个磷微粒位于其内,且每一磷微粒的表面覆盖含有二氧化硅与氧化铝的胶体而形成一核壳结构。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中该胶体还包含多个二氧化钛微粒位于其内。

8.一种半导体装置的制造方法,包括:

提供一玻璃晶片,具有一第一侧及一相对的第二侧;

在该玻璃晶片的该第一侧上形成一透明导电层;

在该透明导电层上形成一掩模图案层,其具有多个开口以露出该透明导电层;

在每一开口填入一荧光材料;

在该玻璃晶片的该第二侧上形成多个透镜,其对应于所述开口;

去除该掩模图案层而形成一透镜板;

在一半导体晶片上覆盖该透镜板,其中该半导体晶片包括多个凹穴对应于该透镜板的所述荧光材料,以及多个发光二极管芯片位于对应的所述凹穴内;

蚀刻该半导体晶片的底表面,以在相邻的所述凹穴之间形成多个凹口而构成多个单个的半导体基底;以及

自所述凹口切割该透镜板,以在对应的所述半导体基底上形成多个单个的透镜模块。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,还包括:

在每一半导体基底的下表面形成至少两个分隔的外部导线层,且电性连接至对应的该发光二极管芯片,用以作为输入端;以及

在每一凹穴内形成至少两个分隔的内部导线层,以电性连接于对应的该发光二极管芯片与对应的所述分隔的外部导线层之间。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法,其中每一半导体基底包括位于该凹穴下方的至少两个贯穿开口,使所述外部导线层分别通过所述贯穿开口而电性连接至对应的所述内部导线层。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法,其中所述外部导线层延伸至对应的该半导体基底的侧壁,且对应的所述内部导线层延伸至对应的该半导体基底的上表面,使所述外部导线层分别电性连接至对应的所述内部导线层。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,其中通过该透明导电层作为电泳沉积的阴极,以将该荧光材料填入每一开口内;每一荧光材料包括多个磷微粒位于其内,且每一磷微粒的表面覆盖含有二氧化硅与氧化铝的胶体而形成一核壳结构。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法,其中该胶体还包含多个二氧化钛微粒位于其内。

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