[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的电感器的方法，包括：

在半导体衬底上方形成螺旋形的第一金属导线；

通过选择性地刻蚀第一介电膜来形成暴露部分所述第一金属导线的连接孔，其中所述第一介电膜被形成用来基本上掩埋所述第一金属导线；

在其中形成有所述连接孔的所述第一介电膜上方形成第一金属膜；

在所述第一金属膜上方形成第二介电膜；

在所述第二介电膜上方形成第一光刻胶图样；以及然后

通过使用所述第一光刻胶图样作为刻蚀掩膜来选择性地刻蚀所述第二介电膜和所述第一金属膜，以形成第二金属导线，其中，所述第二金属导线与所述第一金属导线相对应。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光刻胶图样与所述第一金属膜之间的刻蚀速率不同导致对所述第二金属导线顶部的刻蚀。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述连接孔包括：

在所述螺旋形的第一金属导线上形成所述第一介电膜，所述第一介电膜填充了所述第一金属导线之间的间隔；

在所述第一介电膜上方形成第二光刻胶图样；以及然后使用所述第二光刻胶图样作为刻蚀掩膜来选择性地刻蚀所述第一介电膜以形成所述连接孔。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一光刻胶图样被形成用来使所述第二金属导线的边缘与所述第一金属导线的边缘对准。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，以在4000埃到6000埃之间范围内的厚度来形成所述第二介电膜。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，以在22000埃到42000埃之间范围内的厚度来形成所述第二金属导线。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述第二金属导线之后，没有去除残留在所述第二金属导线顶部上的所述第二介电膜。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述第二金属导线的顶部和所述残留的第二介电膜上方形成第三介电膜。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介电膜包括氧化硅膜。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二介电膜包括正硅酸乙酯。

11.一种半导体器件的电感器，包括：

螺旋形第一金属导线，形成于半导体器件上方；

第一介电膜，基本上覆盖所述螺旋形第一金属导线，并且所述第一介电膜具有暴露部分所述螺旋形第一金属导线的连接孔；

第二金属导线，形成与所述螺旋形第一金属导线相对应；以及

第二介电膜，形成于所述第二金属导线上方，以在用于形成所述第二金属导线的刻蚀工艺期间减少对所述第二金属导线顶部的刻蚀。

12.根据权利要求11所述的电感器，其中，通过选择性地对形成于所述第一介电膜上的金属膜进行刻蚀来形成所述第二金属导线。

13.根据权利要求11所述的电感器，其中，所述螺旋形第一金属导线经由所述连接孔与所述第二金属导线电连接。

14.根据权利要求11所述的电感器，进一步包括：

第三介电膜，形成于所述第二金属导线和所述第二介电膜上方，其中所述第二介电膜位于所述第二金属导线的顶部上。

15.根据权利要求11所述的电感器，其中，所述第二介电膜的厚度在4000埃到6000埃之间的范围内。

16.根据权利要求11所述的电感器，其中，所述第二金属导线的厚度在22000埃到42000埃之间的范围内。

17.根据权利要求11所述的电感器，其中，所述第二介电膜包括二氧化硅。

18.根据权利要求11所述的电感器，其中，所述第二介电膜包括正硅酸乙酯。

19.根据权利要求11所述的电感器，其中，相对于所述第二金属导线，所述第二介电膜具有小的刻蚀选择性。