[发明专利]激光加工方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 200810185780.6 申请日: 2005-07-27
公开(公告)号: CN101434010A 公开(公告)日: 2009-05-20
发明(设计)人: 久野耕司;铃木达也;坂本刚志 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: B23K26/40 分类号: B23K26/40;B28D1/22;C03B33/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 代理人: 龙 淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 激光 加工 方法 半导体 装置
【说明书】:

本申请是2005年7月27日递交的发明名称为“激光加工方法及半导体装置”的申请200580026680.3的分案申请

技术领域

本发明涉及为了切断加工对象物而使用的激光加工方法、以及使用此方法所制造的半导体装置。

背景技术

已知一种激光加工方法:在通过激光的照射来切断加工对象物时,以切换连续振荡与脉冲振荡的方式,将激光照射在加工对象物上(例如参照专利文献1)。在改激光加工方法中,在切断预定线的直线部分使激光进行连续振荡,另一方面,在切断预定线的曲线部分或角部分使激光进行脉冲振荡。

专利文献1:日本特开昭59-212185号公报

发明内容

已知的一种激光加工方法是,通过将聚光点对准于板状加工对象物的内部照射激光,从而沿着加工对象物的切断预定线,在加工对象物的内部形成作为切断起点的改质区域。在该激光加工方法中,为了沿着切断预定线以高精度切断加工对象物,希望在加工对象物的内部沿着切断预定线的所希望部分确实地形成改质区域。

因此,本发明是有鉴于上述的事情而完成的,其目的在于提供一种可以在加工对象物的内部沿着切断预定线的所希望部分确实地形成改质区域的激光加工方法,以及使用该方法来制造的半导体装置。

为了解决上述的问题,本发明的激光加工方法的特征在于,通过将聚光点对准于板状加工对象物的内部照射激光,在加工对象物的内部沿加工对象物的切断预定线形成成为切断起点的改质区域,在照射激光时,有选择性地切换连续振荡和脉冲振荡。

在使激光进行脉冲振荡时,相比于使激光进行连续振荡的情况,可以在加工对象物的内部更确实地形成改质区域。因此,通过沿着切断预定线的所希望部分使激光进行脉冲振荡、并且沿着该所希望部分以外的部分使激光进行连续振荡,从而可以在加工对象物的内部沿着所希望的部分确实地形成改质区域。特别是在使用Q开关激光的情况下,通过RF输出的控制来对Q开关进行ON控制,以此来切换脉冲振荡与连续振荡,因此激发用LD光对固体激光结晶的施加状态基本上不改变。因此,由于可以迅速地进行脉冲振荡与连续振荡的切换动作,在可以以稳定的激光来进行加工的同时,还可以提高加工速度。另外,按照激光振荡器种类的不同,在连续振荡时,有时呈现连续振荡输出与脉冲振荡输出混合的状态,但是,由于脉冲波输出的平均输出已降低,故能量不会超过加工临界值,在加工对象物的内部不会在所希望的部分以外形成改质区域。在此情况下,同样地能迅速地进行脉冲振荡与连续振荡的切换动作的同时,脉冲振荡转移时的热稳定性也得到了进一步的提高。因此,可以以更稳定的激光进行加工,并且能提高加工速度。本申请的连续振荡也包括这种情况。

另外,加工对象物优选是表面上形成有层叠部的基板,改质区域优选形成在基板的内部。在此情况下,通过沿着切断预定线的所希望的部分使激光进行脉冲振荡,并且沿着该所希望的部分以外的部分使激光进行连续振荡,由此,可以在基板的内部沿着所希望的部分确实地形成改质区域。

另外,改质区域优选形成在与表面、与表面侧端部的距离为5μm~20μm的位置处。另外,改质区域优选形成在与表面以及与背面侧端部的距离为[5+(基板的厚度)×0.1]μm~[20+(基板的厚度)×0.1]μm的位置。在此,所谓「距离」只要无特别限定,均指沿着基板的厚度方向的距离。

在上述的情况下,例如,如果将扩张带等能扩张的薄膜贴在基板的背面上并加以扩张,就会沿切断预定线使基板及层叠部被切断。此时,如果在上述位置形成有改质区域,则能进行层叠部的高精度切断。

另外,在层叠部沿着切断预定线的规定部分包含金属膜或绝缘膜的情况下,优选在该规定的部分使激光进行连续振荡。此时,相比于沿着该规定的部分使激光进行脉冲振荡的情况,可以进一步减少对层叠部造成的损伤。因此,在切断基板及层叠部时,可以提高切断预定线的规定部分上的层叠部的切断精度。

另外,在切断预定线交叉的部分,优选使激光进行脉冲振荡。如此一来,在加工对象物的内部沿着切断预定线交叉的部分确实地形成改质区域。因此,可以提高切断预定线交叉的部分上的加工对象物的切断精度。

另外,在形成改质区域之后,优选沿着切断预定线来切断加工对象物。如此一来,可以以高精度地沿着切断预定线切断加工对象物。

另外,本发明的半导体装置的特征在于,它是使用上述的激光加工方法而制造的。该半导体装置具有被高精度地切断而成的切断面。

根据本发明可以在加工对象物的内部沿着切断预定线的所希望的部分确实地形成改质区域。

附图说明

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