[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

收容被处理基板的处理室；

在所述处理室内相对设置的第一电极以及第二电极；

第一高频电功率施加单元，其向所述第一电极施加频率为10MHz 以上的第一高频电功率；

第二高频电功率施加单元，其向所述第一电极施加频率为2MHz 以上小于10MHz的第二高频电功率；

第三高频电功率施加单元，其向所述第二电极施加频率为400kHz 以上1.6MHz以下的高频电功率；

气体供给机构，其向所述处理室内供给用于生成等离子体的处理 气体；和

排气机构，其对所述处理室进行排气，

所述第一电极是支撑被处理基板的支撑电极，所述第二电极是与 所述支撑电极相对设置的对置电极。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第三高频电功率具有不与所述第一高频电功率以及第二高频 电功率发生干扰的频率。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第一高频电功率以及所述第二高频电功率的频率不是所述第 三高频电功率的频率的整数倍。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第三高频电功率设定成能够充分除去附着在所述第二电极上 的附着物，而达到不附着附着物的程度，并且难以使上部电极消耗的 功率。

5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第三高频电功率的功率在0.009～0.055W/cm²的范围。

6.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征 在于：

所述第三高频电功率的频率在600kHz以上1.0MHz以下的范围。

7.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征 在于，进一步包括：

第一阻抗调节器，其与所述第二电极连接，并且按照对于所述第 一高频电功率的频率是低阻抗，对于所述第二高频电功率的频率以及 第三高频电功率的频率变成高阻抗的方式调节阻抗；和

第二阻抗调节器，其与所述第二电极连接，并且按照对于所述第 二高频电功率的频率是低阻抗，对于所述第一高频电功率的频率以及 所述第三高频电功率的频率变成高阻抗的方式调节阻抗。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

进一步包括第三阻抗调节器，与所述处理室的侧壁连接，并且按 照对于所述第三高频电功率的频率是低阻抗，对于所述第一高频电功 率的频率以及所述第二高频电功率的频率变成高阻抗的方式调节阻 抗。

9.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征 在于：

使用绝缘性的基板作为所述被处理基板。

10.一种等离子体处理方法，其是在收容被处理基板的处理室内 相对设置第一电极以及第二电极，在它们之间形成高频电场，利用该 高频电场使处理气体等离子化，对被处理基板实施等离子体处理的等 离子体处理方法，其特征在于：

向所述第一电极施加频率为10MHz以上的第一高频电功率，向所 述第一电极施加频率为2MHz以上小于10MHz的第二高频电功率，生 成等离子体，

向所述第二电极施加频率为400kHz以上1.6MHz以下的第三高频 电功率，溅射、清洗所述第二电极的表面，

所述第一电极是支撑被处理基板的支撑电极，所述第二电极是与 所述支撑电极相对设置的对置电极。

11.如权利要求10所述的等离子体处理方法，其特征在于：

所述第三高频电功率具有不与所述第一高频电功率以及第二高频 电功率的频率发生干扰的频率。