[发明专利]利用铂钯掺杂的SO2薄膜的多传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种利用铂钯掺杂的SnO₂薄膜的多传感器，其特征在于：包 括基片，铂钯掺杂的SnO₂薄膜，加热电极和金属测量电极；铂钯掺杂 的SnO₂薄膜、加热电极和金属测量电极均固定在基片上，加热电极分 布在铂钯掺杂的SnO₂薄膜周围，为传感器加热，金属测量电极与铂钯 掺杂的SnO₂薄膜连接，供外界测量；其中基片为Al₂O₃，加热电极采 用铂、银或铜中的任意一种，测量电极采用导电金属。

2.一种利用铂钯掺杂的SnO₂薄膜的多传感器制备方法，其特征在 于包括下列步骤：

第一步，首先抛光Al₂O₃基片，然后沉积光致刻蚀剂，经过光致刻 蚀，形成加热电极和金属测量电极的沉积槽，再剥离基片上的光致刻 蚀剂；

第二步，将上步制得的基片用浓度为90％以上丙酮浸泡5h以上， 用去离子水漂洗至无色；然后放入去离子水中超声清洗两次以上，每 次10min以上；放入无水乙醇中超声清洗两次以上，再放入浓度为90％ 以上丙酮中超声清洗两次以上，每次10min以上；最后置于烘箱中进 行干燥备用；

第三步，在射频溅射镀膜设备的纯金属Sn靶上掺杂铂或钯；铂、 钯金属掺杂采用冷压法或粘贴法进行，冷压法是将两条铂或钯箔片， 对称挤压在锡靶表面；粘贴法是将4条的铂、钯片对称均匀的用导电 硅粘合剂粘贴在锡靶表面，放置24h以上，真空处理2h以上，真空度 优于10^-3Pa；

第四步，在基片上镀制掺杂铂钯的SnO₂薄膜，采用射频溅射镀膜 技术，沉积厚度为50-70nm，沉积位置在加热电极沉积槽以内，且与 金属测量电极槽连接，用掺杂铂钯的金属Sn作为靶材，本底真空度优 于10^-3Pa；实验采用射频电源，靶材为金属锡靶，纯度为99.95％以上； 溅射时通入高纯Ar气和O₂气，压力比为5∶1到1∶2，并使其压强稳定 在5Pa以下；在溅射过程中，靶体通水冷却；

第五步，在加热电极和金属测量电极的沉积槽内采用电极印刷技 术制作加热电极和金属测量电极，然后将制备好的传感器放入 600-800℃的高温炉中烧结60min以上，传感器制备完成。