[发明专利]半导体器件的制造方法无效
申请号: | 200810186383.0 | 申请日: | 2002-11-20 |
公开(公告)号: | CN101447438A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 伊藤富士夫;铃木博通 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 郭 放 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法,具有以下工序:
a.准备形成有多个图形的引线框,其中,上述多个图形的每个具有管芯底座部和配置在上述管芯底座部的周围的多个引线;
b.将多个半导体芯片分别安装在上述多个管芯底座部上方;
c.通过多个焊丝分别将上述多个半导体芯片的每个半导体芯片与相应的上述多个引线电连接;
d.在上述工序c之后,利用上模和下模夹住相邻的上述多个图形之间的一部分,并通过引线间连接部分向多个腔中注入树脂来形成多个树脂密封体,其中,
上述多个腔和上述引线间连接部分形成在上述上模和下模中的一个上,
上述多个腔分别与上述多个图形相对应,
上述引线间连接部分形成在相邻的上述多个腔之间,
上述引线间连接部分不被上述上模和下模夹住,
上述多个树脂密封体中的一个通过与上述上模接触的部分与另一个树脂密封体相连接,以及
上述与上述上模接触的部分形成在与上述引线间连接部分相对应的部分处;以及
e.在上述工序d之后,利用切割装置切割上述引线框和上述多个树脂密封体,从而将上述多个树脂密封体分割成单个的小片。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,上述引线框具有形成在上述多个引线的每个上的端子部、和与上述上模形成点接触的接触部分,上述接触部分被形成为与上述端子部的厚度相同,
在上述工序e中,上述切割是利用上述切割装置在上述端子部与上述接触部分之间进行的,从而将上述多个树脂密封体分割成单个的小片。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法,其中,在上述引线框中,对除上述端子部和上述接触部分以外的部分进行半蚀刻处理。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,在工序d中,上述多个树脂密封体排列成阵列。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,在工序d中,上述多个树脂密封体被排列成树脂密封体的多个组并排的阵列,上述多个组的每个是由排列成列的树脂密封体构成的。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,在上述多个腔的外侧,多个浇口部设置在上述上模的一边,多个虚设腔和多个空气出口设置在与上述上模的一边相对的另一边。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法,其中,上述多个浇口部和上述多个空气出口分别被分配为多个浇口部组和多个空气出口组,每个上述浇口部组、相对应的空气出口组以及上述多个虚设腔之一与由排列成列的树脂密封体构成的组相关联,上述多个树脂密封体被排列成树脂密封体的多个组并排的阵列,上述多个组的每个是由排列成列的树脂密封体构成的。
8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法,其中,每个上述浇口部组包含一对浇口部,每个上述空气出口组包含一对空气出口。
9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其中,上述引线框具有多个悬吊引线、形成在上述多个悬吊引线的每个上的突起部、以及与上述上模形成点接触的接触部分,上述多个悬吊引线的每个的一个端部与上述管芯底座部相连接,上述接触部分被形成为与上述突起部的厚度相同,
在上述工序e中,上述切割是利用切割装置在上述突起部与上述接触部分之间进行的,从而将上述多个树脂密封体分割成单个的小片。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法,其中,在上述引线框中,对除上述突起部和上述接触部分以外的部分进行半蚀刻处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造