[发明专利]一种曝光控制方法及CMOS图像传感器有效
申请号: | 200810186547.X | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101478632A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 罗文哲;陈巨 | 申请(专利权)人: | 昆山锐芯微电子有限公司 |
主分类号: | H04N3/15 | 分类号: | H04N3/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 丽 |
地址: | 215300江苏省昆山市开发*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 曝光 控制 方法 cmos 图像传感器 | ||
1.一种曝光控制方法,其特征在于,包括:
当某一行非冗余像素行的曝光重置没有与其他非冗余像素行的采样同步时,控制冗余像素行进行采样;
当某一行非冗余像素行的采样没有与其他非冗余像素行的曝光重置同步时,控制冗余像素行进行曝光重置。
2.根据权利要求1所述的曝光控制方法,其特征在于,所述某一行非冗余像素行的曝光重置是否与其他非冗余像素行的采样同步,具体为:
判断所述某一行非冗余像素行的重置信号和转移信号为高电平时,是否存在行选择信号和重置信号为高电平的其他非冗余像素行;
所述当某一行非冗余像素行的曝光重置没有与其他非冗余像素行的采样同步时,控制冗余像素行进行采样,具体为:
控制冗余像素行的行选择信号和重置信号为高电平。
3.根据权利要求1所述的曝光控制方法,其特征在于,所述某一行非冗余像素行的采样是否与其他非冗余像素行的曝光重置同步,具体为:
判断所述某一行非冗余像素行的行选择信号和重置信号为高电平时,是否存在重置信号和转移信号为高电平的其他非冗余像素行;
所述当某一行非冗余像素行的采样没有与其他非冗余像素行的曝光重置同步时,控制冗余像素行进行曝光重置,具体为:
控制冗余像素行的重置信号和转移信号为高电平。
4.根据权利要求1至3任一项所述的曝光控制方法,其特征在于,所述冗余像素行的行数等于共享光电二极管的晶体管的数目。
5.一种CMOS图像传感器,其特征在于,包括:像素阵列电路和曝光时序控制电路,其中:
像素阵列电路,包括非冗余像素行和冗余像素行;
曝光时序控制电路,用于对像素阵列电路的曝光和采样过程进行控制,包括:在任一非冗余像素行的曝光重置没有与其他非冗余像素行的采样同步时,控制冗余像素行进行采样;在任一非冗余像素行的采样没有与其他非冗余像素行的曝光重置同步时,控制冗余像素行进行曝光重置。
6.根据权利要求5所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述曝光时序控制电路包括:
重置信号产生电路,用于为像素阵列电路提供重置信号;
行选择信号产生电路,用于为像素阵列提供行选择信号;
转移信号产生电路,用于为像素阵列提供转移信号;
其中,在某一像素行的重置信号和转移信号为高电平时,另一像素行的行选择信号和重置信号为高电平;
在某一像素行的行选择信号和重置信号为高电平时,另一像素行的重置信号和转移信号为高电平。
7.根据权利要求5或6所述的CMOS图像传感器,其特征在于,所述冗余像素行的行数等于共享光电二极管的晶体管的数目。
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