[发明专利]基于多级单元闪存的数据存储方法、装置

说明书

技术领域

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种基于多级单元闪存的数据存储方法、装置。

背景技术

目前，闪存(Nand Flash)包括单级单元(SLC，Single Level Cell)闪存和多级单元(MLC，Multi Level Cell)闪存两种。

单级单元闪存是由一定数量的存储单元块(Block)构成的。以常见的单级单元闪存为例，其每一个存储单元块包含64个页(Page)，每一个页包含2112个存储单元(Cell)，每一个存储单元存储1比特数据，从物理结构看，该1比特数据是分布在1个页上的。页为最小编程单元，页按照地址大小顺序排列。

多级单元闪存也是由一定数量的存储单元块构成的。以常见的多级单元闪存为例，其每一个存储单元块包含128个页，每一个页包含2112个存储单元，不同于单级单元闪存，多级单元闪存的每一个存储单元可以存储2个比特数据，而这2比特数据分别分布在两个页中，此2112个存储单元关联了两个页，因此其128个页构成了64个页对。

对多级单元闪存写入数据时，由于页是其最小编程单元，操作其中一个页时，任意一个存储单元会被写入1个比特数据，但当操作与该页构成页对的另一个页时，会对相应存储单元中已存储的1比特数据造成影响。因此，为了保证一个页对中已存储的1比特数据的稳定性和正确性，需要花费较多的时间对该页对的另一个页写入1比特数据，从而导致多级单元闪存写入数据的速度要比单级单元闪存慢。

发明内容

本发明实施例提供了一种基于多级单元闪存的数据存储方法、装置，可以提高多级单元闪存的数据写入速度。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

本发明实施例提供了一种基于多级单元闪存的数据存储方法，包括：

从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；

根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；

根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块每一个页对中该获取的一个页，不必考虑是否会对同一个页对中的另一个页存储的数据有影响，从而可以在不计较存储单元块最大容量的前提下，进一步提高多级单元闪存的数据写入速度。

本发明实施例还提供了一种数据存储控制装置，包括：

页获取模块，用于从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中；

生成页表模块，用于根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表；

数据写入模块，用于根据生成的所述页表将数据写入所述存储单元块每一个页对中该获取的一个页，不必考虑是否会对同一个页对中的另一个页存储的数据有影响，从而可以在不计较存储单元块最大容量的前提下，进一步提高多级单元闪存的数据写入速度。

本发明实施例从存储单元块的每一个页对中获取一个页，并生成该存储单元块的页表，根据生成的页表可以将数据写入每一个页对中的一个页，不必考虑是否会对同一个页对中的另一个页存储的数据有影响，从而可以在不计较存储单元块最大容量的前提下，进一步提高多级单元闪存的数据写入速度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例一提供的一种基于多级单元闪存的数据存储方法的流程示意图；

图2为本发明实施例二提供的一种基于多级单元闪存的数据存储方法的流程示意图；

图3为本发明实施例三提供的一种数据存储控制装置的逻辑结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：

请参阅图1，图1为本发明实施例一提供的一种基于多级单元闪存的数据存储方法的流程示意图。如图1所示，该方法可以包括：

步骤101：从存储单元块内的每一个页对中获取一个页，所述存储单元块位于多级单元闪存中。

步骤102：根据从所述存储单元块中获取的页生成该存储单元块的页表。