[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

第一衬底，在所述第一衬底上方形成有包括金属互连的电路；和

在所述第一衬底上方的光电二极管，所述光电二极管接触所述金属互连，

其中所述第一衬底的所述电路包括：

在所述第一衬底上方的晶体管；

在所述晶体管侧面的电结区；和

连接至所述金属互连并接触所述电结区的第一导电型区域。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一导电型区域接触所述电结区的侧面。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中在所述第一导电型区域上方设置有所述金属互连的接触插塞。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电结区包括PN结。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电结区包括PNP结。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电结区具有掺杂有p-型杂质的上部，所述电结区包括PN结。

7.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述晶体管包括转移晶体管。

8.一种图像传感器，包括：

第一衬底，在所述第一衬底上方形成有包括金属互连的电路；和

在所述第一衬底上方的光电二极管，所述光电二极管接触所述金属互连，

其中所述电路包括：

在所述第一衬底上方的晶体管；

在所述晶体管侧面的电结区；和

连接至所述金属互连并接触所述电结区的第一导电型区域，

其中所述电结区具有掺杂有第二导电型杂质的上部。

9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述第一导电型区域接触所述电结区的侧面。

10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中在所述第一导电型区域上方设置有所述金属互连的接触插塞。

11.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述电结区具有掺杂有p^-型杂质的上部，所述电结区包括PN结。

12.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述晶体管包括转移晶体管。

13.根据权利要求8所述的图像传感器，其中所述电结区包括PNP结。

14.一种制造图像传感器的方法，所述方法包括：

在第一衬底上方形成包括金属互连的电路；和

在所述金属互连上方形成光电二极管；

其中所述第一衬底的所述电路的形成包括：

在所述第一衬底上方形成晶体管；

在所述晶体管的侧面形成电结区；和

形成连接至所述金属互连并接触所述电结区的第一导电型区域。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一导电型区域的形成包括：

形成所述第一导电型区域以接触所述电结区的侧面。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一导电型区域的形成包括：

在所述第一导电型区域上方形成所述金属互连的接触插塞。

17.根据权利要求14所述的方法，其中所述电结区的形成包括形成PN结。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述电结区的形成包括形成PNP结。

19.根据权利要求14所述的方法，其中所述电结区的形成包括：用第二导电型杂质掺杂上部。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述电结区包括PN结。