[发明专利]覆晶式影像感测模块及其制作方法无效
申请号: | 200810186583.6 | 申请日: | 2008-12-25 |
公开(公告)号: | CN101764140A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 谢有德;庄炯焜 | 申请(专利权)人: | 菱光科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/148;H01L21/50;H04N5/225;G02B7/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;张燕华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 覆晶式 影像 模块 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种影像感测模块,尤其涉及一种覆晶式影像感测模块及其制作方法。
背景技术
影像感测模块已广泛地应用于数字相机以及具有照相功能的手持式电子装置上,其主要构造以一互补式金氧半(CMOS)影像感测芯片或一电荷耦合(CCD)影像感测芯片搭配适合的光学镜组而成。
如图1所示,一种现有影像感测模块的剖视图,该影像感测模块包含一形成有一透孔111的软性电路板11、一由该透孔111下方与该软性电路板11电连接的影像感测芯片12、一覆盖于该透孔111上方的透光片13,以及一设置于该透光片13上的镜组14。外界景物的光线可经由该镜组14进入,并经由该透光片13及该透孔111而被该影像感测芯片12所接收。
此外,如图2至图5所示,依序为上述影像感测模块制作的各阶段的剖视图。如图2所示,首先将该影像感测芯片12以超声波接合方式与该软性电路板11形成电连接,然后如图3所示,对该影像感测片12与该软性电路板11的接合处进行第一道点胶步骤,以保护接合处的金属材质不受氧化,并如图4所示对胶材进行烘烤固化,最后,并如图5所示,再进行第二道点胶步骤,以将一透光片13胶合于该软性电路板11上。
然而,随着数字相机以及手持式电子装置逐渐朝轻薄短小的趋势发展,装置于其内的影像感测模块也需配合薄型化,以满足市场所需。此外,上述该影像感测模块的制作方法显的较为繁复,也需加以改进及简化以降低制作成本。
发明内容
因此,本发明的一目的,在于提供一种覆晶式影像感测模块,可降低整体影像感测模块的厚度。
本发明的另一目的,在于提供上述覆晶式影像感测模块的制作方法,可简化制作的步骤。
为达到上述目的,本发明提供一种覆晶式影像感测模块,包含一电路板、一影像感测芯片,以及一透光片。该电路板具有一绝缘层,该绝缘层具有一贯穿其上下表面的透孔、该电路板还具有多个间隔地沿该绝缘层上表面延伸并由该透孔周缘向该透孔内突伸的引线。该影像感测芯片至少部分地向上嵌设于该透孔内,且该影像感测芯片的上表面具有多个分别与该等引线的下表面电连接的焊垫。该透光片盖设于该电路板的透孔上方。
此外,本发明还提供一种覆晶式影像感测模块的制作方法,包含下列步骤:首先提供一电路板,该电路板具有一绝缘层,该绝缘层具有一贯穿其上下表面的透孔、该电路板还具有多个间隔地沿该绝缘层上表面延伸并由该透孔周缘向该透孔内突伸的引线。其次,将一影像感测芯片至少部分地向上嵌设于该透孔内,该影像感测芯片的上表面具有多个焊垫,并将该等焊垫分别与该等引线进行焊接以形成电连接。最后,将一透光片盖设于该电路板的透孔上方。
本发明由使该影像感测芯片嵌设于该电路板的透孔内,且使该影像感测芯片的上表面的焊垫分别与该等引线的下表面电连接,以降低整体影像感测模块的厚度。并且,由在该等引线上方点胶,使胶材覆盖该等引线的上表面供与该透光片胶合,并使胶材沿该等引线之间流入该等引线与该等焊垫之间以形成保护,以简化制作的步骤。以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为现有影像感测模块的示意图;
图2至图5为现有影像感测模块的各制作阶段的剖视图;
图6为本发明覆晶式影像感测模块的剖视图;
图7为本发明覆晶式影像感测模块的上视图;
图8至图12为本发明的覆晶式影像感测模块的各制作阶段的剖视图。
其中,附图标记
电路板21 绝缘层211
透孔212 引线213
影像感测芯片22 焊垫221
透光片23 光学镜组24
超音波震荡头30 热压头40
点胶机50
具体实施方式
有关本发明的技术内容,在以下配合参考图式的较佳实施例中,将可清楚地说明:
如图6及图7所示,为本发明的覆晶式影像感测模块的一较佳实施例,该覆晶式影像感测模块包含一电路板21、一影像感测芯片22、一透光片23,以及一设置于该透光片上方的光学镜组24。需说明的是,图7是该覆晶式影像感测模块省略该透光片23及该光学镜组24的示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的