[发明专利]清洁设备和浸没式光刻设备

权利要求书

1.一种清洁设备，用于清洁浸没式光刻设备的衬底或部件，该浸没式光刻设 备包括用于支撑衬底的衬底台和用于在投影系统和衬底台和/或衬底之间限定浸没 流体的流体限制系统，该清洁设备包括：

等离子体原子团源，其用于提供原子团流；

导管，用来将来自等离子体原子团源的原子团供给将被清洁的表面；以及

原子团限制系统，用来引导原子团以清洁所述表面的局部，

其中所述原子团限制系统包括原子团限制室，在所述原子团限制室中设有所 述导管的出口，且其中原子团限制室包括连接至负压力源的出口以使得原子团限 制室内的压力低于光刻设备的周围区域，在原子团限制室的边缘与将被清洁的表 面之间的间隙处，气体将倾向于流至原子团限制室内。

2.根据权利要求1的清洁设备，其中原子团限制系统构造为提供气流，以便 将原子团基本上限制到原子团限制室的与所述表面的所述局部的相同侧。

3.根据权利要求1所述的清洁设备，其中等离子体原子团源位于距离将被清 洁的所述表面1mm和30mm之间的位置。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的清洁设备，其中原子团限制系统构 造为形成气流来引导原子团。

5.根据权利要求1至3中任意一项所述的清洁设备，其中等离子体原子团源 构造为提供还原性原子团源。

6.根据权利要求1至3中任意一项所述的清洁设备，其中等离子体原子团源 构造为提供氧化性原子团源。

7.根据权利要求1至3中任意一项所述的清洁设备，其中等离子体原子团源 包括气体源和等离子体产生区；以及等离子体原子团源构造为从所述气体源提供 气体，以使其通过所述等离子体产生区提供至所述导管。

8.根据权利要求7的清洁设备，其中等离子体产生区包括位于气流内的高温 元件，该高温元件的温度足以造成热分解以形成原子团。

9.根据权利要求8的清洁设备，其中气体源提供净化空气的供给。

10.根据权利要求7的清洁设备，其中等离子体产生区包括RF线圈、一对 AC或DC放电电极和微波或RF腔中的至少一种，其在来自气体源的气流内产生 等离子体区，原子团在等离子体区内形成。

11.根据权利要求10的清洁设备，其中气体源提供惰性气体和活性气体的混 合气体；其中惰性气体是氮、氦、氩、氖和氙中至少之一；并且活性气体是氢气 和氧气中的一种。

12.根据权利要求11的清洁设备，其中活性气体占由气体源所提供的气体的 0.5％和2％之间。

13.根据权利要求12的清洁设备，其中活性气体占由气体源所提供的气体的 约1％。

14.根据权利要求1至3中任意一项所述的清洁设备，其中所述等离子体原 子团源和所述导管构造得以便基本上没有离子从导管提供。

15.根据权利要求1至3中任意一项所述的清洁设备，还包括旋转器，构造 为相对于所述导管旋转衬底；

其中原子团限制系统构造为将原子团引导至衬底周边的局部，以便通过相对 于所述导管旋转衬底来清洁衬底的全部周界。

16.根据权利要求15的清洁设备，其中所述导管将原子团引导至衬底的边缘 部分上。

17.根据权利要求15的清洁设备，其中所述导管将原子团引导至器件将形成 于其上的衬底的主表面的周边部分上。

18.根据权利要求17所述的清洁设备，其中所述原子团限制系统包括保护气 体源，构造该保护气体源以沿衬底的至少一个主表面提供与来自所述导管的原子 团流相反的气流，来限制原子团通到衬底的所述表面上的程度。

19.根据权利要求18的清洁设备，其中原子团限制系统包括气体提取器，该 气体提取器位于所述导管和所述保护气体源之间，且布置用于从所述导管提取原 子团，且从所述保护气体源提取气流。