[发明专利]灰阶掩模坯料,灰阶掩模的制造方法和灰阶掩模及图案转写方法

权利要求书

1.一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光 光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望 的转写图案的灰阶掩模的制造中使用，

该灰阶掩模坯料在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该 半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半 透光部，形成灰阶掩模，

所述遮光膜在膜厚方向上的组成成分变化，图案化时对在该遮光膜上 形成的抗蚀膜进行图案曝光时采用的绘制光的表面反射率被降低，

所述组成成分包括金属铬、氧化铬、氮氧化铬或氮化铬，

所述半透光膜在图案化时对在该半透光膜上形成的抗蚀膜进行图案 曝光时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。

2.根据权利要求1所述的灰阶掩模坯料，其特征在于，

所述半透光膜在图案化时对在该半透光膜上形成的抗蚀膜中进行图 案曝光时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过30％。

3.根据权利要求1或2所述的灰阶掩模坯料，其特征在于，

所述半透光膜的针对在使用对所述灰阶掩模坯料实施图案化而成的 灰阶掩模时所适用的曝光光的表面反射率为10％以上。

4.根据权利要求1或2所述的灰阶掩模坯料，其特征在于，

在对各个所述半透光膜和所述遮光膜的进行图案化时，对抗蚀膜采用 的绘制光是在300nm～450nm范围内的规定波长的光。

5.根据权利要求1或2所述的灰阶掩模坯料，其特征在于，

所述灰阶掩模坯料对包含365nm～436nm范围的规定区域的曝光光使 用。

6.一种灰阶掩模的制造方法，该灰阶掩模根据部位选择性地降低对 被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不 同的部分的期望转写图案，具有透光部、遮光部和透过一部分曝光光的半 透光部，

预备在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜的灰阶掩模坯料，分别 在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成灰阶掩模，

所述遮光膜通过改变在膜厚方向上的组成成分，图案化时，降低对在 该遮光膜上形成的抗蚀膜进行图案曝光的绘制光的表面反射率，

所述组成成分包括金属铬、氧化铬、氮氧化铬或氮化铬，

所述半透光膜在图案化时对在该半透光膜上形成的抗蚀膜进行图案 曝光时采用的绘制光的表面反射率被调整为在面内不超过45％。

7.根据权利要求6所述的灰阶掩模的制造方法，其特征在于，

包含以下步骤：

在所述遮光膜上形成的第一抗蚀膜上采用绘制光绘制第一图案，

将显像之后形成的第一抗蚀图案作为掩膜，蚀刻该遮光膜，进行第一 图案化，

去除该第一抗蚀图案，

在包含部分露出的半透光膜的基板上，形成第二抗蚀膜，在该第二抗 蚀膜上采用所述绘制光绘制第二图案，和

将显像之后形成的第二抗蚀图案作为掩膜，蚀刻该半透光膜，从而进 行第二图案化；

所述遮光膜对在绘制所述第一和第二图案时的绘制光的表面反射率 被降低，

并且，所述半透光膜对在图案化所述第二图案时的绘制光，表面反射 率被调整为在面内不超过45％。