[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

I)将粘合片粘贴在半导体晶片上的粘贴工序；

II)使所述半导体晶片形成可切断状态的工序；

III)将切割胶带粘贴在所述粘合片上的粘贴工序；

其中上述这些工序的顺序为I-II-III、II-I-III或I-III-II，还 包括：

IV)通过在室温以下扩张所述切割胶带，将所述半导体晶片与所述 粘合片切断，得到多个切断成单片的、具有粘合片的半导体芯片的工序：以 及

V)将所述具有粘合片的半导体芯片粘接在装载半导体芯片用的支撑 部件上的工序，

所述粘合片含有玻璃化温度为-30℃～50℃且重均分子量为5万～100 万的高分子量成分、环氧树脂与填料，

处于B阶状态的所述粘合片，在25℃的温度下，断裂强度为大于等于 0.1MPa、小于等于10MPa，且断裂延伸率为大于等于1％、小于等于40％，

处于B阶状态的所述粘合片在25℃下的由10Hz动态粘弹性模量测定所 得弹性模量为1～3000MPa，在25℃下的由900Hz动态粘弹性模量测定所得 弹性模量为4000～20000MPa。

2.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

I’)将层叠粘合片与切割胶带而成的与切割胶带一体化的粘合片 粘贴在半导体晶片上的粘贴工序：

II)使所述半导体晶片形成可切断状态的工序；

其中上述这些工序的顺序为I’-II或II-I’，还包括：

IV)通过在室温以下扩张所述与切割胶带一体化的粘合片，将所述 半导体晶片与所述与切割胶带一体化的粘合片切断，得到多个切断成单片的、 具有粘合片的半导体芯片的工序；以及

V)将所述具有粘合片的半导体芯片粘接在装载半导体芯片用的支撑 部件上的工序，

所述粘合片含有玻璃转化温度为-30℃～50℃且重均分子量为5万～100 万的高分子量成分、环氧树脂与填料，

处于B阶状态的所述粘合片，在25℃的温度下，断裂强度为大于等于 0.1MPa、小于等于10MPa，且断裂延伸率为大于等于1％、小于等于40％，

处于B阶状态的所述粘合片在25℃下的由10Hz动态粘弹性模量测定所 得弹性模量为1～3000MPa，在25℃下的由900Hz动态粘弹性模量测定所得 弹性模量为4000～20000MPa。

3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：所述方法包括：

I)将粘合片粘贴在半导体晶片上的粘贴工序；

II)使所述半导体晶片形成可切断状态的工序；

III)将切割胶带粘贴在所述粘合片上的粘贴工序；

其中上述这些工序的顺序为I-II-III、II-I-III或I-III-II，还 包括：

IV)通过在室温以下扩张所述切割胶带，将所述半导体晶片与所述 粘合片切断，得到多个切断成单片的、具有粘合片的半导体芯片的工序：以 及

V)将所述具有粘合片的半导体芯片粘接在装载半导体芯片用的支撑 部件上的工序，

所述粘合片含有玻璃化温度为-30℃～50℃且重均分子量为5万～100 万的高分子量成分、环氧树脂与填料，

处于B阶状态的所述粘合片，在25℃的温度下，断裂强度为大于等于 0.1MPa、小于等于10MPa，且断裂延伸率为大于等于1％、小于等于40％，

处于B阶状态的所述粘合片在25℃下的由10Hz动态粘弹性模量测定所 得弹性模量为1～3000MPa，在-20℃下的由10Hz动态粘弹性模量测定所得 弹性模量为4000～20000MPa。