[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810186933.9 | 申请日: | 2008-12-10 |
公开(公告)号: | CN101615625A | 公开(公告)日: | 2009-12-30 |
发明(设计)人: | 金东焕;杨美渊;金亨澈;李俊昊;吴庆铎 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示(LED:light emitting display)装置及其制 造方法,更具体地说,本发明涉及为防止由湿气导致的有机层分解而设 计的有机LED装置及其制造方法。
背景技术
本申请要求于2008年06月24日提交的韩国专利申请No. 10-2008-059894的优先权,在此以引证的方式并入,如同在此阐述了其 全部内容。
随着信息化社会的发展,对新型图像显示设备的需求不断增长,以 克服传统阴极射线管(CRT)的缺点,例如重量大和体积大。近来,为 了满足这种需求,已经研制并公开了多种平板显示器,这包括液晶显示 器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示装置、等离子显示面板(PDP) 装置以及表面传导电子发射显示(SED)装置。
在它们之中,OLED装置采用了有机LED,有机LED是通过电子和 空穴的复合形成激子并且通过来自激子的能量生成特定波长的光的自发 光元件。由于OLED装置在例如对比度和响应时间方面具有优异的显示 特性并且可以有效地实现柔性显示器,因此OLED装置被看作理想的下 一代显示装置。
通常,OLED配备有用于注入电子的阴极和用于注入空穴的阳极。 阴极和阳极分别将电子和空穴注入进发光层。当由电子和空穴的复合形 成的激子从激发态转变成基态时,OLED装置就会发光。
基于这种原理,OLED装置与传统薄膜LCD装置不同,不需要独立 的光源,因此能够减小体积和重量。此外,OLED装置实现了高质量的 面板特性,即低电压、高亮度、响应时间快和低重量。
由于这些有利的特征,OLED装置被应用于各种便携式数字设备, 包括移动终端、车载导航系统(CNS)、摄像机和数码相机,甚至还被应 用于电视屏幕。也就是说,作为下一代显示装置,OLED装置正在变得 愈发流行。
此外与传统LCD装置相比较,OLED装置因为制造工艺相对简单, 所以能够显著降低制造成本。
OLED装置根据驱动方法可以划分为无源矩阵型和有源矩阵型。
无源矩阵型OLED装置易于设计和制造。然而能耗很大,并且其难 以实现为大尺寸显示器。而且随着线数的增加,数值孔径(NA:numerical aperture)将会恶化。
另一方面,有源矩阵型OLED装置能够提供高发光效率以及高图像 质量。
图1示意性示出根据传统技术的有源矩阵型OLED装置的结构,其 包括红色、绿色和蓝色发光层。图2解释了在传统OLED装置中应用无 机钝化层时的问题。
如图1所示,OLED装置包括:第一基板12,其具有按照矩阵形式 布置的像素区域P;薄膜晶体管(TFT)T,其形成在各个像素区域P中; 第一电极14,其与设置在各个像素区域P中的TFTT电连接;有机层18, 其形成在各个第一电极14的上部;第二电极20,其形成在各个有机层 18的上部;第二基板28,其与密封层26一起封装并密封第一基板12的 上部;以及湿气吸收剂22,其粘接至第二基板28。
各有机层18包括在第一电极14上的空穴注入层18a、在空穴注入层 18a上的空穴传输层18b、在空穴传输层18b上的有机发光层18c以及电 子传输层18d(也可以是电子注入层)。有机发光层18c是由发射红光(R)、 绿光(G)和蓝光(B)的专用有机材料制成的。
湿气吸收剂22防止湿气进入到内部。第二基板28被局部刻蚀,而 呈粉末状的湿气吸收剂22被附着至刻蚀部并且由粘合带25固定。
此外,尽管未示出,还可以在相邻的像素区域之间设置隔离部以防止 干扰。
如上所述,有机发光显示(OLED)装置包括用于驱动各个像素区域 的薄膜晶体管(TFT),并且通过形成在基板的包括这些TFT在内的整个 表面上的钝化层使得这些TFT与其他层电绝缘。
通常情况下,钝化层包括通过化学气相沉积(CVD)形成的无机绝 缘材料,例如SiNx或者SiOy。
然而,这种由无机绝缘材料形成的钝化层92具有在形态方面不平整 的表面,因此如图2所示局部产生突出部Pr。
当产生了突出部Pr时,在突出部Pr上部之上沉积的阳极94、有机 发射层96和阴极98将会依次受到影响。如图2的局部A所示,有可能 因此在阳极94和阴极98之间造成短路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的