[发明专利]制造高度氢化的嵌段共聚物的方法

权利要求书

1.一种制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，包括：

氢化由乙烯基芳香族聚合物嵌段与共轭二烯聚合物嵌段所组成的嵌段 共聚物，通过将该嵌段共聚物在氢化催化剂的存在下与氢化剂接触而得到包 含具有氢化率大于90％的氢化嵌段共聚物与溶剂的聚合物溶液；

利用闪沸脱挥发法在处理温度介于200～300℃与处理压力介于1～10Bar 的条件下移除该聚合物溶液中的该溶剂以得到浓缩的聚合物溶液，该浓缩的 聚合物溶液具有的残余溶剂的含量占该浓缩的聚合物溶液的总重的1～50重 量％；

利用脱挥发机在压力小于100托的条件下而移除该浓缩的聚合物溶液 中的该残余溶剂，以分离出该氢化嵌段共聚物。

2.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该乙烯基芳香 族聚合物嵌段由苯乙烯聚合而成。

3.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该共轭二烯聚 合物嵌段由丁二烯或异戊二烯聚合而成。

4.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚物 为至少一个乙烯基芳香族单体及至少一个共轭二烯单体的共聚物。

5.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚物 具有数均分子量40000至150000。

6.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚物 中的该乙烯基芳香族聚合物嵌段与该共轭二烯聚合物嵌段具有重量比40∶60 至90∶10。

7.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该溶剂包含非 极性溶剂。

8.权利要求7的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该溶剂包含环 己烷。

9.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化催化剂 包含VIII族的金属成分以及至少一种选自铼、钼、钨、钽、铌及铂的成分。

10.权利要求9的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化催化 剂包含氧化硅。

11.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该脱挥发机 包含双螺杆挤出机、薄膜蒸发机、双脱挥发机或其组合。

12.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，还包括在移除该 聚合物溶液中的该溶剂的步骤前，先过滤该聚合物溶液。

13.权利要求12的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，还包括在过滤该 聚合物溶液的步骤之后、以及在移除该聚合物溶液中的该溶剂的步骤前，将 抗氧化剂添加至该聚合物溶液中。

14.权利要求13的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该抗氧化剂 包含受阻酚类抗氧化剂或/及磷酸酯类抗氧化剂，该抗氧化剂的裂解温度在 150℃以上。

15.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化剂包 含氢气、联胺或硼氢化钠。

16.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该嵌段共聚 物通过使用聚合反应引发剂而形成，而该聚合反应引发剂包含有机锂化合 物。

17.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该聚合物溶 液在进入闪沸槽以进行利用该闪沸脱挥发法移除该聚合物溶液中的该溶剂 的步骤前是维持介于9～30Bar的压力。

18.权利要求17的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该聚合物溶 液在进入该闪沸槽以进行利用该闪沸脱挥发法移除该聚合物溶液中的该溶 剂的步骤前是先行预热以维持在介于200～300℃的温度。

19.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该移除该浓 缩的聚合物溶液中的该残余溶剂的步骤是通过双螺杆挤出机在200～300℃的 温度下进行。

20.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中该氢化率大 于95％。

21.权利要求1的制造高度氢化的嵌段共聚物的方法，其中利用该脱挥 发机而移除该浓缩的聚合物溶液中的该残余溶剂的步骤是在该压力小于20 托的条件下进行，以分离出该氢化嵌段共聚物。