[发明专利]参考电压电路及共栅结构前端放大电路

权利要求书

1.一种参考电压电路，其特征在于包括一第三电流源(I3)、一第六PMOS管(M6)、一第五NMOS管(M5)、一可变电阻(R5)和一第六电阻(R6)，第三电流源(I3)的输入端连接电源电压(VDD)，其输出端连接第六PMOS管(M6)的源极，第六PMOS管(M6)的漏极连接第五NMOS管(M5)的漏极形成参考电压输出端(Vref)，可变电阻(R5)和第六电阻(R6)依次串联在第五NMOS管(M5)的源极和接地端之间，第五NMOS管(M5)的栅极连接第一偏置电压(Vbias1)，第六PMOS管(M6)的栅极连接第二偏置电压(Vbias2)。

2.如权利要求1所述的参考电压电路，其特征在于所述参考电压输出端(Vref)与接地端之间连接有电容。

3.包含权利要求1所述的参考电压电路的共栅结构前端放大电路，包括共栅放大电路和比较器，其特征在于共栅放大电路的信号输出端(CG_OUT)连接比较器的正相输入端，参考电压电路的参考电压输出端(Vref)连接比较器的负相输入端，参考电压电路与共栅放大电路共用第一偏置电压(Vbias1)和第二偏置电压(Vbias2)，实现参考电压电路对共栅放大电路静态工作点的跟踪。

4.如权利要求3所述的共栅结构前端放大电路，其特征在于所述共栅放大电路中，第一电流源(I1)、第二电流源(I2)的输入端分别连接电源电压(VDD)，由一第三PMOS管(M3)和一第四PMOS管(M4)组成的电流镜通过第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)的源极分别连接第一电流源(I1)、第二电流源(I2)的输出端，第三PMOS管(M3)的漏极和接地端之间依次串联一第一NMOS管(M1)、一第一电阻(R1)和一第二电阻(R2)，第四PMOS管(M4)的漏极和接地端之间依次串联一第二NMOS管(M2)、一第三电阻(R3)和一第四电阻(R4)，第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的栅极连接第一偏置电压(Vbias1)，第三PMOS管(M3)和第四PMOS管(M4)的栅极提供第二偏置电压(Vbias2)，第三PMOS管(M3)的漏极和第一NMOS管(M1)的漏极的连接端提供共栅放大电路的信号输出端(CG_OUT)。

5.如权利要求4所述的共栅结构前端放大电路，其特征在于第一电阻(R1)和第二电阻(R2)的连接端形成信号输入端(IN)。

6.如权利要求4或5所述的共栅结构前端放大电路，其特征在于所述第一、第二、第三电流源(I1、I2、I3)的电流相等，所述第三、第四、第六PMOS管(M3、M4、M6)的宽长比相等，所述第一、第二、第五NMOS管(M1、M2、M5)的宽长比相等，所述第一、第二、第三、第四、第六电阻(R1、R2、R3、R4、R6)的阻值相等。