[发明专利]包括半导体薄膜的半导体器件、该薄膜的结晶方法及装置有效
申请号: | 200810188142.X | 申请日: | 2005-08-09 |
公开(公告)号: | CN101441331A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 小川裕之;秋田典孝;谷口幸夫;平松雅人;十文字正之;松村正清 | 申请(专利权)人: | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
主分类号: | G02F1/015 | 分类号: | G02F1/015;G02F1/01;H01L21/268;H01L21/77;H01L23/544;H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈松涛 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 半导体 薄膜 半导体器件 结晶 方法 装置 | ||
1.一种光调制元件,包括两种或更多种光强调制区域,该光强调制区域调制光并且形成预定光强分布,
其特征在于,该两种或更多种光强调制区域中的至少一种由两种基本图案组成,该两种基本图案中的第一基本图案包括一组阻光区域和透光区域,并且该两种基本图案中的第二基本图案仅仅包括阻光区域,或者包括一组阻光区域和透光区域,所述第二基本图案中的该阻光区域与该透光区域的面积比大于所述第一基本图案中的该阻光区域与该透光区域的面积比。
2.一种光调制元件,包括两种或更多种光强调制区域,该光强调制区域调制光并且形成预定光强分布,
其特征在于,该两种或更多种光强调制区域中的至少一种包括第一基本图案和第二基本图案,该第一基本图案包括一组具有不同相位调制值的两种或更多种相位调制区域,该第二基本图案仅仅包括具有单个相位值的区域,或者包括一组具有不同相位值的两种或更多种相位调制区域,所述第二基本图案中的改变相位值的区域之间的面积比不同于所述第一基本图案中的改变相位值的区域之间的面积比。
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