[发明专利]半导体芯片及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体芯片，包括基板、形成在所述基板的元件形成面一侧并 具有多个半导体元件的集成电路、以及形成在所述基板中与所述多个半导 体元件中的规定半导体元件相对应的区域内的放热插塞，其特征在于：

所述放热插塞由填充到在与所述元件形成面相反一侧的面上开口的非 贯通孔内并且热导率高于所述基板的热导率的材料形成，

所述半导体芯片还包括第一绝缘膜，该第一绝缘膜形成在所述放热插 塞中除了所述放热插塞的上端部以外的部分与所述基板之间；

所述放热插塞的上端部与所述基板接触。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：

所述半导体芯片还包括：

形成在与所述元件形成面相反一侧的面上并且与所述放热插塞连接的 金属层，和

形成在和所述元件形成面相反一侧的面与所述金属层之间的第二绝缘 膜。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于：

所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜形成为一体。

4.根据权利要求2所述的半导体芯片，其特征在于：

所述半导体芯片还包括形成在与所述元件形成面相反一侧的面上并且 通过所述金属层与所述放热插塞连接的放热端子。

5.根据权利要求4所述的半导体芯片，其特征在于：

所述半导体芯片还包括形成在所述放热插塞的周围区域内并且与所述 集成电路电绝缘的辅助放热插塞，

所述辅助放热插塞的高度比所述放热插塞的高度低。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片，其特征在于：

所述放热插塞和所述辅助放热插塞通过所述金属层连接起来。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：

所述放热插塞是多个导电性膜层叠而成的叠层膜。

8.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：

所述放热插塞由含有铜的金属材料形成。

9.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：

所述半导体芯片还包括贯通所述基板并且与所述集成电路电连接的贯 通插塞。

10.根据权利要求9所述的半导体芯片，其特征在于：

所述放热插塞中在与所述元件形成面相反一侧的面上露出的部分的面 积比所述贯通插塞中在与所述元件形成面相反一侧的面上露出的部分的面 积小。

11.根据权利要求1所述的半导体芯片，其特征在于：

所述规定半导体元件为放大元件。

12.一种半导体装置，包括具有放热部的安装基板，其特征在于：

所述半导体装置还包括权利要求1到11中的任一项所述的半导体芯 片，

所述放热插塞与所述放热部连接。