[发明专利]基于各向异性蚀刻制造结构的方法和具有蚀刻掩模的硅基片

权利要求书

1、一种制造结构的方法，包括：

用于在单晶硅基片上形成基础蚀刻掩模和校正蚀刻掩模的掩模形成步骤，所述基础蚀刻掩模对应于目标形状，所述校正蚀刻掩模具有连接到所述基础蚀刻掩模的接合部处；以及

用于通过基于各向异性蚀刻法蚀刻所述硅基片而形成所述目标形状的目标形状形成步骤；

其中，在所述掩模形成步骤中，至少在所述校正蚀刻掩模的接合部的一部分中形成低强度部分，在所述低强度部分中机械强度局部降低。

2、一种制造结构的方法，包括：

用于在单晶硅基片上形成基础蚀刻掩模和校正蚀刻掩模的掩模形成步骤，其中所述基础蚀刻掩模对应于目标形状，所述目标形状具有至少第一结构和第二结构，所述第一结构具有突出的角部，所述第二结构与所述第一结构邻接，并且所述第一结构和第二结构之间插设有开口，所述校正蚀刻掩模从所述第一结构的蚀刻掩模的所述突出的角部延伸，并连接到所述第二结构的蚀刻掩模；以及

用于通过对具有所述基础蚀刻掩模和所述校正蚀刻掩模的所述硅基片进行各向异性蚀刻而形成所述目标形状的目标形状形成步骤；

其中，在所述掩模形成步骤中，至少在所述第一结构的基础蚀刻掩模与所述校正蚀刻掩模的连接的接合部的一部分中形成低强度部分，在所述低强度部分中机械强度局部降低。

3、一种根据权利要求2所述的方法，其中所述校正蚀刻掩模具有Y形状的形式，其中所述校正蚀刻掩模从所述第一结构的蚀刻掩模的突出的角部在方向[110]上延伸，并且其中在方向[100]上分叉的各个校正蚀刻掩模与所述第二结构的蚀刻掩模连接。

4、一种根据权利要求2所述的方法，其中所述目标形状形成步骤包括在形成校正蚀刻掩模的部分中去除所述硅基片的步骤。

5、一种根据权利要求2所述的方法，还包括用于在形成所述低强度部分的接合部处切割校正蚀刻掩模的断开步骤。

6、一种根据权利要求2所述的方法，其中所述低强度部分通过(i)一个或者更多个通孔、(ii)一个或者更多个狭槽和(iii)一个或者更多个厚度较薄的部分中的至少一种提供。

7、一种根据权利要求5所述的方法，其中在所述断开步骤中，所述校正蚀刻掩模在形成所述低强度部分的接合部处被切割，所述切割基于(i)使位于用于各向异性蚀刻的各向异性蚀刻溶液中的所述硅基片振荡运动、(ii)使位于用于各向异性蚀刻的各向异性蚀刻溶液中的所述硅基片旋转运动、(iii)在所述硅基片的水冲洗期间向所述硅基片施加水淋浴、(iv)在所述硅基片的干燥期间向所述硅基片吹气以及(v)向位于用于各向异性蚀刻的各向异性蚀刻溶液中的所述硅基片施加超声振动或者在所述硅基片的水冲洗期间向所述硅基片施加超声振动中的至少一种完成。

8、一种具有蚀刻掩模的硅基片，包括：

单晶硅基片；

对应于目标形状并形成在所述单晶硅基片上的基础蚀刻掩模；

具有连接到所述基础蚀刻掩模的接合部并形成在所述单晶硅基片上的校正蚀刻掩模；

具有局部降低的机械强度的低强度部分，所述低强度部分形成在所述校正蚀刻掩模的所述接合部的至少一部分中。

9、一种振荡器装置，包括：

支撑构件；

相对于所述支撑构件以能够移动的方式被支撑的活动构件；

弹性支撑构件，所述弹性支撑构件用于将所述活动构件弹性地连接到所述支撑构件，以绕振荡轴线振荡运动；以及

用于驱动所述活动构件的驱动构件，

其中，所述振荡器装置是按照权利要求2中记载的制造方法制造的。

10、一种光学偏转器，包括：

如权利要求9中记载的振荡器装置；以及

设置在所述活动构件上的光学偏转元件。

11、一种光学仪器，包括：

如权利要求10中记载的光学偏转器；

其中，所述光学偏转器构造成偏转来自光源的光束，使得所述光束的至少一部分入射到要照射的物体上。