[发明专利]有机发光显示器的制造方法

说明书

技术领域

本申请涉及有机发光显示器的制造方法。

背景技术

本申请要求2007年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2007-0141351的优先权，此处以引证的方式并入其内容。

用于有机发光显示器的有机发光设备是一种在位于基板上的两个电极之间包括发光层的自发光设备。

根据发光的方向，有机发光显示器分为顶部发光型、底部发光型和双发光型。根据驱动方法，有机发光显示器还可分为无源矩阵型和有源矩阵型。

在这些有机发光显示器中，当向以矩阵形式设置的多个子像素提供扫描信号、数字信号以及功率时，被选择的子像素发光，从而显示图像。

在有机发光显示器的制造工序中形成有机发光层时，广泛采用这样一种方法，即在真空腔内将遮光掩模与目标基板对准，然后将有机材料沉积在位于目标基板上的开口区内。

然而，前述方法在制造遮光掩模时有很多困难，例如在形成开口区时要考虑掩模的下垂和掩模的间距调整，因此该方法被认为不适合用于制造大尺寸面板。伴随这些问题，使用掩模的这种沉积法也带来很多缺陷，例如在沉积有机发光层时由掩模引起刮擦和沉积空隙。因此，迫切需要一种可以替代这种方法的技术。

发明内容

本发明的一个方面是提供一种有机发光显示器的制造方法，该制造方法包括以下步骤：在目标基板上形成第一电极，并且形成包括将所述第一电极露出的开口区的堤坝层；粘接所述目标基板和中间基板，该中间基板与所述目标基板的顶部相对地隔开并且具有在其上顺序设置的有机材料层、吸收层、反射层以及施主基板；通过将激光照射到所述中间基板上而将有机材料层转移到所述堤坝层内露出的所述第一电极上，由此形成有机发光层；以及将所述目标基板和所述中间基板彼此分离，并且在形成在所述目标基板上的所述有机发光层上形成第二电极，其中所述吸收层的反射率低于所述反射层的反射率。

附图说明

附图被包括在本说明书中以提供对本公开的进一步理解，并结合到本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方式，且与说明书一起用于解释本公开的原理。附图中：

图1是根据本公开的一个实施方式的有机发光显示器的制造方法的示意流程图；

图2是目标基板的视图；

图3是目标基板和中间基板的示意图；

图4至图6是吸收层和反射层的设置的视图；

图7是激光照射法的视图；

图8是目标基板、中间基板及激光的示意性设置图；

图9是其上形成有机发光层的目标基板的视图；以及

图10是有机发光二极管的分层结构图。

具体实施方式

下面将详细描述本公开的实施方式，在附图中示例出了其示例。

在下文中，将参照附图描述根据本公开的实施方式的详细示例。

如图1所示，根据本公开的一个实施方式的有机发光显示器的制造方法包括：基板制备步骤S102、转移准备步骤S104、转移步骤S106以及电极形成步骤S108。

首先，基板制备步骤S102是在目标基板上形成第一电极并形成包括用以露出第一电极的开口区的堤坝层(bank layer)的步骤。

这里，目标基板可包括无源矩阵型有机发光显示器和有源矩阵型有机发光显示器。在本公开中，采用示例的方式参照图2更详细地描述这种目标基板，其中在该示例中目标基板为有源矩阵型有机发光显示器。

如图2所示，在目标基板110为有源矩阵型的情形下，目标基板110还包括位于第一电极118之下的晶体管单元，且第一电极118可以连接至晶体管单元中所包括的晶体管的源极116a或漏极116b。

上面说明的晶体管单元可以包括位于目标基板110上的缓冲层111。此外，晶体管单元可以包括位于缓冲层111上的半导体层112。此外，晶体管单元可以包括位于半导体层112上的第一绝缘膜113。此外，晶体管单元可以包括位于第一绝缘膜113上的栅极114。此外，晶体管单元可以包括位于第一绝缘膜113和栅极114上的第二绝缘膜115a。此外，晶体管单元可以包括经由接触孔与半导体层112相连的源极116a和漏极116b。此外，晶体管单元可以包括位于源极116a和漏极116b上的平整膜115b。此外，晶体管单元可以包括位于平整膜115b上并经由接触孔与源极116a和漏极116b相连的第一电极118。此外，晶体管单元可以包括位于第一电极118上并包括将第一电极118露出的开口区的堤坝层119。