[发明专利]改进的化学机械抛光垫以及制造和使用这种抛光垫方法

权利要求书

1.一种形状记忆化学机械抛光垫，用于抛光从磁衬底、光学衬底和半导体衬 底中选择的至少一种衬底；所述抛光垫包括：

致密状态的抛光层；

其中抛光层包括在原始形状和可程式化形状之间转变的形状记忆基体材料；

其中当形状记忆基体材料处于初始形状时，抛光层呈现出初始厚度OT；

其中当形状记忆基体材料处于可程式化形状时，抛光层呈现出致密状态下的 致密厚度DT；

其中DT≤OT的80％；

其中当形状记忆基体材料的温度从等于所述形状记忆基体材料的玻璃化转 变温度Tg减去20℃的温度上升到等于Tg加上20℃的温度时，形状记忆基体材 料的储能模量降低了≥70％，其中，Tg以℃表示；

其中抛光层具有适应于抛光衬底的抛光表面。

2.如权利要求1所述的形状记忆化学机械抛光垫，其中储能模量的降低有 ≥800MP的量级。

3.如权利要求1所述的形状记忆化学机械抛光垫，其中Tg≥45℃且＜80℃。

4.如权利要求1所述的形状记忆化学机械抛光垫，其中形状记忆衬底材料的 存储模量在形状记忆衬底材料的温度从等于Tg减去10℃的温度上升到等于Tg 加上10℃的温度时降低了≥90％；并且储能模量的降低有≥800MP的量级。

5.如权利要求1所述的形状记忆化学机械抛光垫，其中形状记忆衬底材料包 括以下混合物的反应产物，该混合物包括甘油丙氧基化物、聚碳化二亚胺-改性 的二苯甲烷二异氰酸酯、以及聚四氢呋喃和聚已酸内酯中的至少一种。

6.如权利要求1所述的形状记忆化学机械抛光垫，其中形状记忆衬底材料包 括以下混合物的反应产物，该混合物包括聚醚基物质、甲苯二异氰酸酯封端的 液体氨基甲酸酯预聚物和4，4-亚甲基-双(2-氯苯胺)。

7.一种制造形状记忆化学机械抛光垫的方法，所述方法包括：

提供可在初始形状和可程式化形状间变换的形状记忆基体材料；

制备在初始状态下呈现初始厚度OT的抛光层，该抛光层包括初始形状的形 状记忆基体材料；

使抛光层经受外力；

将形状记忆基体材料设置为可程式化形状，从而提供致密状态下的抛光层， 其中抛光层呈现出致密厚度DT；

移开外力；

其中DT≤OT的80％；

当形状记忆基体材料的温度从等于所述形状记忆基体材料的玻璃化转变温 度Tg减去20℃的温度上升到等于Tg加上20℃的温度时，形状记忆基体材料的 储能模量降低了≥70％，其中，Tg以℃表示；并且，

其中抛光层具有适于抛光从磁衬底、光学衬底和半导体衬底中选择的至少一 种衬底的抛光表面。

8.如权利要求7所述的方法，进一步包括：

提供多个微型元件；

将多个微型元件分散在形状记忆基体材料中；

加热抛光层到温度T，该温度T高于形状记忆基体材料的玻璃化转换温度 Tg；

其中所述外力是当抛光层温度保持在形状记忆基体材料的Tg之上时、轴向 地压缩抛光层使其达到致密厚度DT的轴向力；以及在保持轴向力的同时，通 过将抛光层冷却到形状记忆基体材料的Tg之下而将形状记忆基体材料设置成 可程式化形状。