[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

第一衬底，其中所述第一衬底具有以第二传导型掺杂的上部；

在第一衬底上的包括金属互联件的电路；以及

与第一衬底上的金属互联件接触的光电二极管，

其中所述电路包括在第一衬底上的电学结区域，以及在该电学结区域上、并与金属互联件相连接的第一传导型区域，

其中所述电路包括转移晶体管(Tx)和浮动扩散区域，其中在转移晶体管(Tx)的两端之间存在电位差，其中从所述光电二极管产生的电子由于所述电位差而被完全堆积到所述浮动扩散区域的结点，而不产生电荷共享，

其中所述光电二极管被形成在所述电路上方，

其中所述电学结区域包括在第一衬底中的第一传导型离子注入区域以及在第一传导型离子注入区域上的第二传导型离子注入区域，

其中所述第一传导型区域穿过所述第二传导型离子注入区域并接触所述第一传导型离子注入区域。

2.如权利要求1所述的图像传感器，其中电学结区域包括PNP结。

3.如权利要求1所述的图像传感器，其中电学结区域包括P0/N-/P-结。

4.如权利要求1所述的图像传感器，包括在金属互联件上的接触插塞件，其中第一传导型区域的宽度基本上与该接触插塞件的宽度相同。

5.如权利要求1所述的图像传感器，其中光电二极管包括与金属互联件电连接的PIN二极管，其中PIN二极管的第一传导层包括n掺杂的非晶硅。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中光电二极管在晶体半导体层中形成，并与金属互联件电连接。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其中晶体半导体层在第二衬底上形成，且其中第二衬底与第一衬底键合。

8.一种图像传感器，包括：

半导体衬底；

在半导体衬底上的包括金属互联件的电路；以及

与在半导体衬底上形成的金属互联件接触的光电二极管，

其中所述半导体衬底具有以第二传导型掺杂的上部，且所述电路包括：

在半导体衬底中形成的晶体管；

在晶体管一端形成的电学结区域；以及

与金属互联件相连接并与电学结区域接触的第一传导型区域，

其中所述晶体管包括转移晶体管(Tx)和浮动扩散区域，其中在转移晶体管(Tx)的两端之间存在电位差，其中从所述光电二极管产生的电子由于所述电位差而被完全堆积到所述浮动扩散区域的结点，而不产生电荷共享，

其中所述光电二极管被形成在所述电路上方，

其中所述电学结区域包括在所述衬底中的第一传导型离子注入区域以及在第一传导型离子注入区域上的第二传导型离子注入区域，

其中所述第一传导型区域穿过所述第二传导型离子注入区域并接触所述第一传导型离子注入区域。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其中半导体衬底包括掺杂有P型杂质的上部，电学结区域包括PN结。

10.一种用于制造图像传感器的方法，包括：

提供半导体衬底，其中所述半导体衬底具有以第二传导型掺杂的上部；

在所述半导体衬底中形成电路；

在半导体衬底中形成电学结区域；

在半导体衬底上形成金属互联件；

在电学结区域上形成与金属互联件相连接的第一传导型区域；以及

在金属互联件上形成光电二极管，

其中所述电路包括转移晶体管(Tx)和浮动扩散区域，其中在转移晶体管(Tx)的两端之间存在电位差，其中从所述光电二极管产生的电子由于所述电位差而被完全堆积到所述浮动扩散区域的结点，而不产生电荷共享，

其中所述光电二极管被形成在所述电路上方，

其中所述电学结区域包括在所述衬底中的第一传导型离子注入区域以及在第一传导型离子注入区域上的第二传导型离子注入区域，

其中所述第一传导型区域穿过所述第二传导型离子注入区域并接触所述第一传导型离子注入区域。

11.如权利要求10所述的方法，其中形成电学结区域包括形成PNP结。

12.如权利要求11所述的方法，其中电学结区域包括P0/N-/P-结。

13.如权利要求10所述的方法，其中第一传导型区域在执行金属互联件的接触蚀刻之后形成。